| 講演名 | 2014-10-24 グラフェンへの六方晶窒化ホウ素を用いたバンドギャップの導入(薄膜プロセス・材料,一般) 稲畑 翔, 高木 駿, 山崎 裕貴, 平出 博樹, 前川 大輝, 林 卓哉, 村松 寛之, |
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| 抄録(和) | グラフェンは黒鉛を単層剥離した炭素六員環構造を有する2次元炭素材料であり、高い電子移動度を有するため次世代の高速トランジスタへの応用が期待されている。しかし、グラフェンには理論上、電流を制御するために必要なバンドギャップが存在しない。そのため、グラフェンに対してバンドギャップを導入する必要がある。そこで、グラフェンと類似した構造を有する絶縁体である六方晶窒化ホウ素(h-BN)を混合することでバンドギャップを導入する方法を考えた。本研究では、グラフェンの生成方法としてグラフェンの大量生成が可能である化学的剥離法を用い、グラフェンに対するh-BNの混合割合を変化させ、特性評価を行った。 |
| 抄録(英) | Graphene is a two-dimensional carbon material having a six-membered carbon ring structure. The graphene has high electron mobility. Therefore, the application of high-speed transistor of the next generation is expected to graphene. However, in theory, the band gap required to control the current is not present in the graphene. Therefore, it is necessary to introduce a band gap for graphene. Therefore, I thought a method of introducing the band gap by mixing the (h-BN) hexagonal boron nitride is an insulator having a structure similar to graphene. In this experiment, we used a chemical stripping process that can be mass produced as a product of graphene methods graphene. And changing the mixing ratio of h-BN to graphene is presented and evaluated. |
| キーワード(和) | グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 化学的剥離法 |
| キーワード(英) | Graphene / Hexagonal Boron Nitride / Chemical Peeling Method |
| 資料番号 | CPM2014-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/10/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | グラフェンへの六方晶窒化ホウ素を用いたバンドギャップの導入(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The introduction of the band gap with hexagonal boron nitride for graphene |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / Hexagonal Boron Nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 化学的剥離法 / Chemical Peeling Method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 稲畑 翔 / Sho INAHATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学大学院理工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 駿 / Shun TAKAGI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学大学院理工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山崎 裕貴 / Yuki YAMAZAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学大学院理工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平出 博樹 / Hiroki HIRAIDE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学大学院理工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前川 大輝 / Hiroki MAEGAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学大学院理工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 林 卓哉 / Takuya HAYASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 信州大学大学院理工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 村松 寛之 / Hiroyuki MURAMATSU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 信州大学大学院理工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2014-10-24 |
| 資料番号 | CPM2014-105 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
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