講演名 2014-10-24
熱化学気相成長法によるBCN合成の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
山崎 裕貴, 林 卓哉, 村松 寛之,
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抄録(和) グラフェンは炭素原子1個分の厚さを持つ二次元物質であり、高いキャリア移動産を有している。しかし、グラフェンには理論上バンドギャップが存在しない為、半導体素子へ応用をおこなうにはバンドギャップの導入が必要となる。そこで、本研究ではグラフェンに絶縁体である窒化ホウ素を合成し、BN源の熱処理温度および保持時間を変化させ、h-BCN生成に対する影響を検討した。結果、BN源の熱処理温度および保持時間が生成されるh-BNCの結晶性および層数に大きく影響を与えることが示唆された。
抄録(英) It is a two-dimensional material having a thickness of one carbon atom, graphene has high carrier mobility. However, since the theoretical band gap is not present, it is necessary to introduce a band gap to do application to the semiconductor device in the graphene. Accordingly, we synthesized boron nitride is an insulator graphene In this study, by varying the retention time and the heat treatment temperature of BN source, we examined the effect on h-BCN generated. A result, the crystallinity of the h-BNC is generated holding time and the heat treatment temperature of BN source and greatly affects the number of layers has been suggested.
キーワード(和) グラフェン / 熱化学気相成良法
キーワード(英) Graphene / Thermal Chemical Vapor Deposition
資料番号 CPM2014-104
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2014/10/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 熱化学気相成長法によるBCN合成の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Study of BCN production process by thermal chemical vapor deposition
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) グラフェン / Graphene
キーワード(2)(和/英) 熱化学気相成良法 / Thermal Chemical Vapor Deposition
第 1 著者 氏名(和/英) 山崎 裕貴 / Yuki YAMAZAKI
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学大学院理工学系研究科電気電子工学専攻
Graduate School of Science and Engineering, Shinshu University
第 2 著者 氏名(和/英) 林 卓哉 / Takuya HAYASHI
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子工学科
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 3 著者 氏名(和/英) 村松 寛之 / Hiroyuki MURAMATSU
第 3 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子工学科
Faculty of Engineering, Shinshu University
発表年月日 2014-10-24
資料番号 CPM2014-104
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 276
ページ範囲 pp.-
ページ数 2
発行日