講演名 | 2014-09-18 光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリ部の放射線耐性 森脇 烈, 伊藤 宏幸, 前川 輝, 渡邊 実, 荻原 昭文, |
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抄録(和) | 我々は現在,レーザアレイ,ホログラムメモリ,ゲートアレイVLSIから構成され,光による高速動的再構成が可能な光再構成型ゲートアレイについて研究開発している.光再構成型ゲートアレイは放射線に対して高い耐性を有する.しかし,これまで光再構成型ゲートアレイの耐放射線エミュレーション試験を行ってきたが,実際に放射線を照射した試験は行っていなかった.この度,光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリに対してガンマ線を照射し,構成試験を実施した.本稿では,この試験を通して,光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリの放射線耐性を示す. |
抄録(英) | Optically reconfigurable gate arrays (ORGAs) have been developed as a type of dynamically reconfigurable gate array. ORGAs have a high-speed reconfiguration capability along with numerous reconfiguration contexts. Moreover, ORGAs have a high fault tolerance for radiation. Thig paper presents radiation tolerance of a holographic memory of an ORGA by using a gamma radiation source. |
キーワード(和) | FPGA / 光再構成型ゲートアレイ / 偏光依存性ホログラムメモリ / 放射線耐性 |
キーワード(英) | FPGAs / Optically Reconfigurable Gate Amays (ORGAs) / Polymer-dispersed holographic memory / Radiation tolerance |
資料番号 | RECONF2014-20 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | RECONF |
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開催期間 | 2014/9/11(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Reconfigurable Systems (RECONF) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリ部の放射線耐性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Radiation tolerance of a holographic memory part on an optically reconfigurable gate array |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | FPGA / FPGAs |
キーワード(2)(和/英) | 光再構成型ゲートアレイ / Optically Reconfigurable Gate Amays (ORGAs) |
キーワード(3)(和/英) | 偏光依存性ホログラムメモリ / Polymer-dispersed holographic memory |
キーワード(4)(和/英) | 放射線耐性 / Radiation tolerance |
第 1 著者 氏名(和/英) | 森脇 烈 / Retsu MORIWAKI |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 伊藤 宏幸 / Hiroyuki ITO |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 前川 輝 / Akira MAEKAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 神戸市立工業高等専門学校 Kobe City College of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 渡邊 実 / Minoru WATANABE |
第 4 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 荻原 昭文 / Akifumi OGIWARA |
第 5 著者 所属(和/英) | 神戸市立工業高等専門学校 Kobe City College of Technology |
発表年月日 | 2014-09-18 |
資料番号 | RECONF2014-20 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 223 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |