| 講演名 | 2014-08-22 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 名田 允洋, 横山 春喜, 村本 好史, 星 拓也, 松崎 秀昭, |
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| 抄録(和) | 簡易なウエハプロセスにより,高速性・高信頼性を同時に可能とする垂直入射型アバランシェフォトダイオード(APD)について議論する.今回提案するAPDは,ウエットエッチングや蒸着・リフトオフによって作製可能であり,従来のAPD構造に用いられてきたイオン注入や選択拡散などの選択ドーピングプロセスを必要としない.作製したAPDは,素子側面の電界強度を十分に緩和し,またエッジ電界の影響がないことを実験的に確認した.また,作製したAPDにおいて,25Gbit/sにおける高感度動作を可能とする高速性・高感度性も同時に確認した. |
| 抄録(英) | An vertical illumination avalanche photodiode (APD) which is suitable for high-speed operation and keeping reliability is proposed and experimentally investigated. The APD does not need selective doping techniques such as ion implantation and selective diffusion traditionally employed for reliability, results in the simple fabrication process. The fabricated APD shows negligible small the surface leakage current, and edge-breakdown free operation. As for RF characteristics, sufficient 3-dB bandwidth for 25-Gbit/s operation is obtained. |
| キーワード(和) | アバランシェフォトダイオード / 垂直入射型 / メサ型 |
| キーワード(英) | Avalanche photodiode / Vertical illumination / Mesa structure |
| 資料番号 | R2014-41,EMD2014-46,CPM2014-61,OPE2014-71,LQE2014-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2014/8/14(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed avalanche photodiodes with vertical illumination structure for reliability and stability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アバランシェフォトダイオード / Avalanche photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 垂直入射型 / Vertical illumination |
| キーワード(3)（和/英） | メサ型 / Mesa structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 名田 允洋 / Masahiro NADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki YOKOYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村本 好史 / Yoshifumi MURAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ Device Innovation Center, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 星 拓也 / Takuya HOSHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松崎 秀昭 / Hideaki MATSUZAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所 Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2014-08-22 |
| 資料番号 | R2014-41,EMD2014-46,CPM2014-61,OPE2014-71,LQE2014-45 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 184 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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