| 講演名 | 2014-08-22 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 冬木 琢真, 吉田 憲司, 吉岡 諒, 吉本 昌広, |
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| 抄録(和) | 半導体半金属混晶GaAs_<1-x>Bi_xは,Bi混入によって禁制帯幅(E_g)の減少や,E_gの低い温度依存性を示し,発振波長が温度に依存しない光通信用半導体レーザの実現が期待される。分子線エピタキシャル(MBE)法を用いて,GaAs基板にコヒーレント成長する高品質な高Bi組成GaAs_<1-x>Bi_xを成長した。Bi組成9.5%のGaAs_<0.905>Bi_<0.095>薄膜から,室温において通信波長帯である1.3μmでのホトルミネセンス(PL)が得られ,かつ,発光強度の劣化は見られなかった。利得導波路型GaAs_<1-x>Bi_xレーザダイオード(LDs)を試作し,最大1045nmでの室温レーザ発振を実現した。GaAs LDの発振波長の温度依存係数0.37nm/Kに対し,GaAs_<0.97>Bi_<0.03> LDの温度依存係数は0.17nm/Kであった。活性層にGaAs_<1-x>Bi_xを適用することで,発振波長が低い温度依存性を有する半導体レーザを実現した。 |
| 抄録(英) | The coherent epitaxial growth GaAs_<1-x>Bi_x (x ≤ 9.5%) films on GaAs substrate with high optical quality was achieved grown by molecular beam epitaxy. For GaAs_<0.905>Bi_<0.095> film, photoluminescence (PL) at 1.3 μm without PL intensity degradation was observed at room temperature. Lasing oscillation at wavelengths up to 1045 nm at room temperature has been realized from high quality GaAs_<1-x>Bi_x Fabry-Perot laser diodes (FP-LDs) by using electrical injection. The temperature coefficient of the lasing wavelength in GaAs_<0.97>Bi_<0.03> FP-LDs is reduced to 0.17 nm/K, which is only 45% of that of GaAs FP-LDs. |
| キーワード(和) | GaAsBi / 半導体半金属混晶 / レーザダイオード / 分子線エピタキシー |
| キーワード(英) | GaAsBi / Semiconductor semimetal alloy / Laser diodes / MBE |
| 資料番号 | R2014-40,EMD2014-45,CPM2014-60,OPE2014-70,LQE2014-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2014/8/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of GaAs_<1-x>Bi_x laser diodes with low temperature dependence of oscillation wavelength |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsBi / GaAsBi |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体半金属混晶 / Semiconductor semimetal alloy |
| キーワード(3)（和/英） | レーザダイオード / Laser diodes |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 冬木 琢真 / Takuma FUYUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 憲司 / Kenji YOSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 / / |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉岡 諒 / Ryo YOSHIOKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉本 昌広 / Masahiro YOSHIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 |
| 発表年月日 | 2014-08-22 |
| 資料番号 | R2014-40,EMD2014-45,CPM2014-60,OPE2014-70,LQE2014-44 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 184 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |