| 講演名 | 2014-07-10 ポリジメチルシロキサン版による塗布型有機薄膜トランジスタの作製評価(有機ナノ材料・構造制御,デバイス応用,一般) 近松 真之, 阿澄 玲子, |
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| 抄録(和) | ポリジメチルシロキサン(PDMS)版による転写技術を用いて、p型およびn型有機半導体薄膜をポリマー絶縁膜上に転写し、塗布型有機薄膜トランジスタ(TFT)およびCMOSインバータを作製した。p型半導体としてオリゴチオフェン誘導体(BHD6T)、n型半導体としてフラーレン誘導体(C60MC12)を用いた。飽和領域から算出した電界効果移動度および閾値電圧は、pチャネルでは0.02cm^2/Vs,-24.6V、nチャネルでは0.17cm^2/Vs,43.8Vであった。インバータ特性を評価したところ、ヒステリシスの小さい良好な反転特性が得られ、ゲインは最大で56を示した。 |
| 抄録(英) | We fabricated p- and n-type solution-processed organic thin-film transistors and CMOS inverter with polymer gate insulator printed by using a polydimethylsiloxane stamp. An oligothiophene derivative (BHD6T) as p-type semiconductor and a fullerene derivative (C60MC12) as n-type semiconductor were used. Field-effect mobilities and threshold voltages were 0.02 cm^2/Vs, -24.6 V for p-channel and 0.17 cm^2/Vs, 43.8 V for n-channel, respectively. The inverter exhibited a sharp inversion with a small hysteresis and a relatively high gain of 56. |
| キーワード(和) | 塗布型有機半導体 / フッ素系高分子ゲート絶縁膜 / 有機薄膜トランジスタ / ポリジメチルシロキサン / 有機CMOS回路 |
| キーワード(英) | Soluble organic semiconductors / fluoropolymer gate dielectric / organic thin-film transistor / polydimethylsiloxane / organic CMOS circuits |
| 資料番号 | OME2014-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2014/7/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポリジメチルシロキサン版による塗布型有機薄膜トランジスタの作製評価(有機ナノ材料・構造制御,デバイス応用,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Solution-Processed Organic Thin-Film Transistors Printed by Using a Polydimethylsiloxane Stamp |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 塗布型有機半導体 / Soluble organic semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | フッ素系高分子ゲート絶縁膜 / fluoropolymer gate dielectric |
| キーワード(3)（和/英） | 有機薄膜トランジスタ / organic thin-film transistor |
| キーワード(4)（和/英） | ポリジメチルシロキサン / polydimethylsiloxane |
| キーワード(5)（和/英） | 有機CMOS回路 / organic CMOS circuits |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近松 真之 / Masayuki CHIKAMATSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阿澄 玲子 / Reiko AZUMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 発表年月日 | 2014-07-10 |
| 資料番号 | OME2014-32 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |