講演名 | 2014-08-05 待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 伊藤 隆祐, 小林 伸彰, 榎本 忠儀, |
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抄録(和) | 低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMを開発した。本SRAM実現のため、メモリセルへの供給電圧を書き込み時とデータ保持時に降圧し、読み出し時に昇圧する電圧レベル変換(Self-controllable Voltage Level; SVL)回路、ワード線への供給電圧を書き込み時に昇圧し、読み出し時に降圧するSVL回路を開発し、2-kbit、90-nm CMOS SRAMに適用した。電源電圧が1Vの時、本SRAMの待機時消費電力は0.984μWで、従来形SRAMの待機時消費電力(10.28μW)の9.57%であった。改良形SRAMの保持マージンは0.1839V、従来形SRAMの保持マージンは0.343Vであった。なお、SVL回路の面積オーバーヘッドは従来形SRAMの1.383%である。 |
抄録(英) | We developed and applied a new circuit, called the "Self-controllable Voltage Level (SVL)" circuit, not only to expand both "write" and "read" stabilities, but also to achieve a low standby power dissipation (P_ |
キーワード(和) | CMOS / SRAM / 保持マージン / 待機時消費電力 / リーク電流 / 電圧レベル変換回路 / 面積オーバーヘッド |
キーワード(英) | CMOS / SRAM / static-noise margin / Self-controllable Voltage Level (SVL) circuit / standby power dissipation / leakage current / area overhead |
資料番号 | SDM2014-73,ICD2014-42 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Development of a Low Standby Power Six-Transistor CMOS SRAM Employing a Single Power Supply |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | CMOS / CMOS |
キーワード(2)(和/英) | SRAM / SRAM |
キーワード(3)(和/英) | 保持マージン / static-noise margin |
キーワード(4)(和/英) | 待機時消費電力 / Self-controllable Voltage Level (SVL) circuit |
キーワード(5)(和/英) | リーク電流 / standby power dissipation |
キーワード(6)(和/英) | 電圧レベル変換回路 / leakage current |
キーワード(7)(和/英) | 面積オーバーヘッド / area overhead |
第 1 著者 氏名(和/英) | 伊藤 隆祐 / Ryusuke Ito |
第 1 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小林 伸彰 / Nobuaki Kobayashi |
第 2 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 榎本 忠儀 / Tadayoshi Enomoto |
第 3 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
発表年月日 | 2014-08-05 |
資料番号 | SDM2014-73,ICD2014-42 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 175 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |