| 講演名 | 2014-08-05 65nm SOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 大島 梓, 岸田 亮, 籔内 美智太郎, 小林 和淑, |
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| 抄録(和) | 近年の集積回路の微細化に伴い,BTIやアンテナダメージの影響が深刻化している。本研究では,65nmバルク・SOTB(Silicon On Thin BOX)プロセスにおいて,発振経路の一ヵ所にアンテナを接続したリングオシレータ回路の初期発振周波数を測定した。そのシミュレーション値と測定値の差を変動量としてしきい値電圧の変動量に換算して,アンテナダメージの影響を評価した。その結果,SOTBプロセスにおいて,アンテナをドレインに先かゲートと同時に接続するドレイン接続構造はダメージ緩和に有効であるが,アンテナの周囲長が大きいとダメージを緩和できない。ドレイン接続構造はアンテナ比に伴ってしきい値電圧が増える。 |
| 抄録(英) | Reliability issues, such as plasma-induced damage (PID) and Bias Temperature Instability (BTI), become dominant on integrated circuits. We measure initial frequencies on ring oscillators with an antenna in one stage in 65-nm bulk and SOTB (Silicon On Thin BOX) processes. Initial frequency variations are converted to threshold voltage shifts. Impacts on initial frequencies and threshold voltages by PID are evaluated. We show that PID can be relieved using the drain-connection-structures in which an antenna is connected to drain first or at the same time as a gate, but the amount of relaxation of PID becomes small when an antenna has a big perimeter. We also reveal that threshold voltage increases with antenna ratio in the drain-connection-structures. |
| キーワード(和) | アンテナダメージ / FD-SOI / BTI / リングオシレータ / 発振周波数 / しきい値電圧 / 信頼性 |
| キーワード(英) | plasma-induced damage / FD-SOI / BTI / ring oscillator / frequency / threshold voltage / reliabilty |
| 資料番号 | SDM2014-79,ICD2014-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 65nm SOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Initial Frequency Degradation on Ring Oscillators in 65-nm SOTB Process Caused by Plasma-Induced Damage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アンテナダメージ / plasma-induced damage |
| キーワード(2)（和/英） | FD-SOI / FD-SOI |
| キーワード(3)（和/英） | BTI / BTI |
| キーワード(4)（和/英） | リングオシレータ / ring oscillator |
| キーワード(5)（和/英） | 発振周波数 / frequency |
| キーワード(6)（和/英） | しきい値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(7)（和/英） | 信頼性 / reliabilty |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大島 梓 / Azusa OSHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻 Department of Electoronics, Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸田 亮 / Ryo KISHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻 Department of Electoronics, Kyoto Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 籔内 美智太郎 / Michitarou YABUUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻 Department of Electoronics, Kyoto Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi KOBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学電子システム工学専攻 Department of Electoronics, Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-08-05 |
| 資料番号 | SDM2014-79,ICD2014-48 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |