講演名 2014-08-05
ダブルゲートMOS型トランジスタを用いた論理回路の検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
嘉藤 淳紀, 渡辺 重佳, 二宮 洋, 小林 学, 三浦 康之,
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抄録(和) 再構成可能な論理を実現するデバイスとして,ダブルゲートMOS型トランジスタが注目されている.本研究では,過去に前例のなかった2種類の制御信号(+V,0),(-V,0)を用いてそれぞれ,2入力に必要な16論理全てを実現する回路を検討した.更に3種類の制御信号(+V,0,-V)を用いて16論理全てを実現する論理回路と比較を行った.
抄録(英) One the most promising candidates for reconfigurable logic is Double Gate MOSFETs. In this paper circuit design of reconfigurable dynamic logic based on double gate CNTFETs focusing on number of states of back gate voltages has been newly described. Using this 9-10T DRDLC the conventional 7T DRDLC with three states (+V, 0, -V) of back bate voltages is successfully derived. These DRDLC with small number of DG-CNTFETs is promising candidates for realizing future high performance reconfigurable LSI.
キーワード(和) 再構成可能 / ダブルゲートMOS型トランジスタ / 論理回路 / ダイナミック回路
キーワード(英) Reconfigurable / Double Gate MOSFET / Logic Circuit / Dynamic Circuit
資料番号 SDM2014-78,ICD2014-47
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2014/7/28(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ダブルゲートMOS型トランジスタを用いた論理回路の検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Circuit Design of Reconfigurable Dynamic Logic Based on Double Gate MOSFETs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 再構成可能 / Reconfigurable
キーワード(2)(和/英) ダブルゲートMOS型トランジスタ / Double Gate MOSFET
キーワード(3)(和/英) 論理回路 / Logic Circuit
キーワード(4)(和/英) ダイナミック回路 / Dynamic Circuit
第 1 著者 氏名(和/英) 嘉藤 淳紀 / Junki Kato
第 1 著者 所属(和/英) 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
Shonan Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe
第 2 著者 所属(和/英) 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
Shonan Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 二宮 洋 / Hiroshi Ninomiya
第 3 著者 所属(和/英) 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
Shonan Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 小林 学 / Manabu Kobayashi
第 4 著者 所属(和/英) 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
Shonan Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 三浦 康之 / Yasuyuki Miura
第 5 著者 所属(和/英) 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
Shonan Institute of Technology
発表年月日 2014-08-05
資料番号 SDM2014-78,ICD2014-47
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 174
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日