| 講演名 | 2014-08-05 プローブ圧力によるトランジスタ特性変動評価と圧力抽出手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 岡垣 健, 長谷川 拓実, 高篠 裕行, 藤井 理子, 津田 敦志, 渋谷 宏治, 出口 善宣, 横田 美穂, 小野沢 和徳, |
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| 抄録(和) | 28nm High-K/メタルゲートプロセスでのプローブ圧力による特性変動について紹介する。大面積nch Tr V_ | ばらつきは、プローブ圧力有無で約20%増加することがわかった。一方小面積nch Trでは、V_ | 変動とT_ |
| 抄録(英) | We discuss characteristics variance in detail, caused by probing stress in 28nm High-K and Metal Gate process. The V_ | variation of nch large size transistor increases by 20% comparnig with weak probing pressure (⋍ 0). Regarding small size transistors, probing stress impact both on V_ | fluctuation and on T_ |
| キーワード(和) | プローブ圧力 / V_ | 変動 | |
| キーワード(英) | probing pressure / V_ | fluctuation | |
| 資料番号 | SDM2014-77,ICD2014-46 | ||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |||
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) | ||
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| 本文の言語 | JPN | ||
| タイトル（和） | プローブ圧力によるトランジスタ特性変動評価と圧力抽出手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) | ||
| サブタイトル（和） | |||
| タイトル（英） | Tr variance evaluation induced by probing pressure and its stress extraction methodology in 28nm High-K and Metal Gate process | ||
| サブタイトル（和） | |||
| キーワード(1)（和/英） | プローブ圧力 / probing pressure | ||
| キーワード(2)（和/英） | V_ | 変動 / V_ | fluctuation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡垣 健 / Takeshi OKAGAKI | ||
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長谷川 拓実 / Takumi HASEGAWA | ||
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高篠 裕行 / Hiroyuki TAKASHINO | ||
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤井 理子 / Masako FUJII | ||
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 5 著者 氏名（和/英） | 津田 敦志 / Atsushi TSUDA | ||
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 6 著者 氏名（和/英） | 渋谷 宏治 / Koji SHIBUTANI | ||
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 7 著者 氏名（和/英） | 出口 善宣 / Yoshinori DEGUCHI | ||
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 8 著者 氏名（和/英） | 横田 美穂 / Miho YOKOTA | ||
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 第 9 著者 氏名（和/英） | 小野沢 和徳 / Kazunori ONOZAWA | ||
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corp. |
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| 発表年月日 | 2014-08-05 | ||
| 資料番号 | SDM2014-77,ICD2014-46 | ||
| 巻番号（vol） | vol.114 | ||
| 号番号（no） | 174 | ||
| ページ範囲 | pp.- | ||
| ページ数 | 4 | ||
| 発行日 | |||