| 講演名 | 2014-08-05 配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 砂村 潤, 古武 直也, 齋藤 忍, 成広 充, 林 喜宏, |
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| 抄録(和) | オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-FET)に関し、その開発状況を報告する。チャネルにワイドギャップアモルファス酸化物半導体InGaZnO(IGZO, 3.3eV)を用いたNFETが、ノーマリーオフ型NFET動作をし、比較的高い移動度、高オンオフ比を有すること、Si上に形成するLDMOSよりも低いAR_ |
| 抄録(英) | We report on the latest progress on our proposed new transistor technology called BEOL-FET, in which we form oxide-based transistors in LSI interconnects, aiming at compact on-chip high-voltage interface realization. NFETs using wide-gap amorphous oxide semiconductor InGaZnO (IGZO, 3.3eV) as channel, are shown to exhibit normally-off characteristics, high mobility and high on/off ratio. A lower AR_ |
| キーワード(和) | BEOL-Tr / BEOL-FET / 酸化物半導体 / 高耐圧 / プリドライバ / IGZO / SnO / AR_ |
| キーワード(英) | BEOL-Tr / BEOL-FET / oxide semiconductor / high-V_ |
| 資料番号 | SDM2014-76,ICD2014-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxide Semiconductor-based Transistors Formed in LSI Interconnects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BEOL-Tr / BEOL-Tr |
| キーワード(2)（和/英） | BEOL-FET / BEOL-FET |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 高耐圧 / high-V_ |
| キーワード(5)（和/英） | プリドライバ / pre-driver |
| キーワード(6)（和/英） | IGZO / IGZO |
| キーワード(7)（和/英） | SnO / SnO |
| キーワード(8)（和/英） | AR_ |
| キーワード(9)（和/英） | 相補型 / complementary |
| キーワード(10)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 砂村 潤 / Hiroshi SUNAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古武 直也 / Naoya FURUTAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 忍 / Shinobu SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 成広 充 / Mitsuru NARIHIRO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 林 喜宏 / Yoshihiro HAYASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2014-08-05 |
| 資料番号 | SDM2014-76,ICD2014-45 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |