| 講演名 | 2014-08-05 MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 財津 光一郎, 辰村 光介, 松本 麻里, 小田 聖翔, 藤田 忍, 安田 心一, |
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| 抄録(和) | 本稿では,フラッシュメモリを用いた高速かつ低消費電力なFPGAを実現するために鍵となる技術を紹介する.1つはMONOS型フラッシュメモリと高性能CMOSトランジスタとを近接した位置に混載する製造技術であり,もう1つは低耐圧なCMOSトランジスタの特性に影響を与えないようなプラッシュメモリの書き込み技術である.これらの技術により,高性能なCMOSトランジスタとフラッシュメモリとが細粒度に混載された,新しいタイプの不揮発FPGAを実現することが可能となる.この不揮発FPGAは,従来品に対してコンフィグレーションメモリの面積を半分に削減でき,また従来の高速製品と同等の動作速度を有する.さらに部分的な電源遮断技術(パワーゲーティング)を用いた大規模な消費電力削減が可能であるという特長がある. |
| 抄録(英) | Novel nonvolatile programmable switch for low-power and high-speed FPGA where MONOS flash is adjacently integrated to CMOS logic is demonstrated. The MONOS transistors and low-voltage switching transistors are fabricated close to each other without deteriorating each performance. Furthermore, memory programming scheme is optimized to realize selective writing with no damage in the switching transistors. MONOS-based configuration memory has a half area of conventional SRAM, and it can be placed in each block in FPGA. That enables efficient power gating that offers low-power FPGA operation. |
| キーワード(和) | FPGA / MONOSフラッシュメモリ / 不揮発メモリ / 低消費電力 |
| キーワード(英) | FPGA / MONOS flash memory / Nonvolatile memory / Low power |
| 資料番号 | SDM2014-75,ICD2014-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Power and High-Speed Nonvolatile FPGA by Adjacent Integration of MONOS/Logic and Novel Programming Scheme |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FPGA / FPGA |
| キーワード(2)（和/英） | MONOSフラッシュメモリ / MONOS flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 不揮発メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 財津 光一郎 / Koichiro ZAITSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corpotation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 辰村 光介 / Kosuke TATSUMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corpotation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松本 麻里 / Mari MATSUMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corpotation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小田 聖翔 / Masato ODA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corpotation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤田 忍 / Shinobu FUJITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corpotation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安田 心一 / Shinichi YASUDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corpotation |
| 発表年月日 | 2014-08-05 |
| 資料番号 | SDM2014-75,ICD2014-44 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |