講演名	2014-08-05 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧(V_)の統計的解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 水谷 朋子, 山本 芳樹, 槇山 秀樹, 山下 朋弘, 尾田 秀一, 蒲原 史朗, 杉井 信之, 平本 俊郎,
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抄録(和)	65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB) SRAMセルの最低動作電圧(V_)を測定し,統計的解析を行った.V_は正規分布ではなく,対数正規分布に従うことを実測で示した.さらに,ワーストセルのV_の振る舞いは,平均的なセルのV_やスタティックノイズマージン(SNM)とは異なることを示し,大容量SRAMセルの安定性は,ワーストセルのV_で評価しなければならないことを明らかにした.
抄録(英)	The minimum operation voltage (V_) of fully depleted (FD) silicon-on-thin-BOX (SOTB) SRAM cells are measured and statistically analyzed. It is newly found that V_ deviates from a normal distribution and follows a log-normal distribution. Furthermore, it is found that the behaviors of the worst V_ are different from the median V_ or static noise margin (SNM), indicating that cell stability of high density SRAM must be judged by the worst V_.
キーワード(和)	ばらつき / 最低動作電圧 / FD SOI
キーワード(英)	Variability / Minimum Operation Voltage / FD SOI
資料番号	SDM2014-72,ICD2014-41
発行日

研究会情報
研究会	SDM
開催期間	2014/7/28(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧(V_)の統計的解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Statistical Analysis of Minimum Operation Voltage (V_) in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	ばらつき / Variability
キーワード(2)（和/英）	最低動作電圧 / Minimum Operation Voltage
キーワード(3)（和/英）	FD SOI / FD SOI
第 1 著者 氏名（和/英）	水谷 朋子 / Tomoko MIZUTANI
第 1 著者 所属（和/英）	東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo
第 2 著者 氏名（和/英）	山本 芳樹 / Yoshiki YAMAMOTO
第 2 著者 所属（和/英）	超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project(LEAP)
第 3 著者 氏名（和/英）	槇山 秀樹 / Hideki MAKIYAMA
第 3 著者 所属（和/英）	超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project(LEAP)
第 4 著者 氏名（和/英）	山下 朋弘 / Tomohiro YAMASHITA
第 4 著者 所属（和/英）	超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project(LEAP)
第 5 著者 氏名（和/英）	尾田 秀一 / Hidekazu ODA
第 5 著者 所属（和/英）	超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project(LEAP)
第 6 著者 氏名（和/英）	蒲原 史朗 / Shiro KAMOHARA
第 6 著者 所属（和/英）	超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project(LEAP)
第 7 著者 氏名（和/英）	杉井 信之 / Nobuyuki SUGII
第 7 著者 所属（和/英）	超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project(LEAP)
第 8 著者 氏名（和/英）	平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO
第 8 著者 所属（和/英）	東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo
発表年月日	2014-08-05
資料番号	SDM2014-72,ICD2014-41
巻番号（vol）	vol.114
号番号（no）	174
ページ範囲	pp.-
ページ数	4
発行日