| 講演名 | 2014-08-05 しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 平本 俊郎, 上田 晃頌, 鄭 承旻, 水谷 朋子, 更屋 拓哉, |
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| 抄録(和) | 0.1Vという超低電圧で動作するV_ | 自己調整MOSFETを提案した.このデバイスでは,オン時にV_ | が低下し,オフ時にV_ | が上昇するため,高いオン・オフ比と安定なSRAMセル動作が得られる.提案デバイスはフローティングゲートを持ち,このフローティングゲートに電荷が注入あるいはフローティングゲートから電荷が放出されることによりV_ | が自己調整される.0.1VにおいてnFETおよびpFETのV_ | 自己調整機能を実験により確認した.さらにV_ | 自己整合nFETとpFETからなる6T SRAMセルにおいて,V_ | 自己調整機能による0.1Vでの安定動作を実証した. |
| 抄録(英) | A new Vth self-adjusting MOSFET operating at 0.1V is proposed, where Vth automatically decreases at on-state and increases at off-state, resulting in high I_| is self-adjusted. The V_ | self-adjustment of nFETs and pFETs at 0.1V and the minimum operation voltage in 6T SRAM cell at 0.1V are experimentally demonstrated. | |
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| キーワード(和) | フローティングゲート / サブスレッショルド動作 / SRAMノイズマージン / 100mV動作 | |||||||
| キーワード(英) | Floating Gate / Subthreshold operation / SRAM noise margin / 100mV operation | |||||||
| 資料番号 | SDM2014-71,ICD2014-40 | |||||||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-Low Voltage(0.1V) Operation of Threshold Voltage Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フローティングゲート / Floating Gate |
| キーワード(2)（和/英） | サブスレッショルド動作 / Subthreshold operation |
| キーワード(3)（和/英） | SRAMノイズマージン / SRAM noise margin |
| キーワード(4)（和/英） | 100mV動作 / 100mV operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上田 晃頌 / Akitsugu Ueda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鄭 承旻 / Seung-Min Jung |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 朋子 / Tomoko MIZUTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2014-08-05 |
| 資料番号 | SDM2014-71,ICD2014-40 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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