| 講演名 | 2014-08-04 混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 杉井 寿博, 射場 義久, 青木 正樹, 能代 英之, 角田 浩司, 畑田 明良, 中林 正明, 山崎 裕一, 高橋 厚, 吉田 親子, |
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| 抄録(和) | 本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高速動作,低電圧動作などの特徴により,現状のメモリ階層のキャッシュSRAMや混載DRAMを置き換えが期待されている,スピン注入型MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic RAM, STT-MRAM)を紹介する.次に,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の,システムLSI混載用STT-MRAMの高密度,低消費電力化に向けて,特性ばらつきを増大させずに,情報を保持するMagnetic Tunneling Junction(MTJ)を微細にする新しいプロセス技術を紹介する. |
| 抄録(英) | We report the current status of our development of spin-transfer torque magnetic RAMs (STT-MRAMs) and their integration with the back-end-of-line (BEOL) process to replace conventional embedded SRAM cache memories. In order to enhance CPU performance, it is very effective to increase cache memory capacity. If we can reduce the switching current, we can reduce MRAM cell size and increase memory capacity. To reduce the switching current, shrinking MTJ is effective. On the other hand, under the same lithography technology, the smaller the MTJ, the larger the variation in MTJ size. This paper describes the new process for fabricating smaller MTJs for high density RAMs without increasing MTJ size variation. |
| キーワード(和) | 混載メモリ / スピン注入 / STT-MRAM / MTJ / 低消費電力 / 低電圧 |
| キーワード(英) | Spin transfer torque / STT-MRAM / MTJ / Low power / Embedded / BEOL |
| 資料番号 | SDM2014-68,ICD2014-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | STT-MRAM Development for Embedded Cache Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 混載メモリ / Spin transfer torque |
| キーワード(2)（和/英） | スピン注入 / STT-MRAM |
| キーワード(3)（和/英） | STT-MRAM / MTJ |
| キーワード(4)（和/英） | MTJ / Low power |
| キーワード(5)（和/英） | 低消費電力 / Embedded |
| キーワード(6)（和/英） | 低電圧 / BEOL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 射場 義久 / Yoshihisa Iba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 正樹 / Masaki Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 能代 英之 / Hideyuki Noshiro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 角田 浩司 / Kouji Tsunoda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 畑田 明良 / Akiyoshi Hatada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中林 正明 / Masaaki Nakabayashi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山崎 裕一 / Yuuichi Yamazaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高橋 厚 / Atsusi Takahashi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 吉田 親子 / Chikakko Yoshida |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project(LEAP) |
| 発表年月日 | 2014-08-04 |
| 資料番号 | SDM2014-68,ICD2014-37 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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