| 講演名 | 2014-08-04 急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 森 貴洋, 森田 行則, 右田 真司, 水林 亘, 福田 浩一, 宮田 典幸, 安田 哲二, 昌原 明植, 太田 裕之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最も有力な候補と考えられているトンネルトランジスタ(TFET)では、ォン電流の向上が課題となっている。解決に向けての方策は、接合印加電界を増強する技術、もしくは高トンネル確率を実現する技術の2つに大別できる。 |
| 抄録(英) | Steep slope devices (SSDs) have attracted because of the increase demand for low-power devices. This paper reviews recent research progress in SSDs. Tunnel field-effect transistor (TFET), which is the front runner in SSDs, has a problem in their ON current. There are two ways to enhance the ON current; one is by enhancing electric-field at the junction, and another is by realizing high tunneling probability. |
| キーワード(和) | 急峻スイッチング素子 / トンネルトランジスタ / 合成電界 / 等電子トラップ |
| キーワード(英) | Steep slope devices / tunnel field-effect transistor / Synthetic electric field / isoelectronic trap |
| 資料番号 | SDM2014-67,ICD2014-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/7/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Research progress in steep slope devices and technologies to enhance ON current in TFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 急峻スイッチング素子 / Steep slope devices |
| キーワード(2)（和/英） | トンネルトランジスタ / tunnel field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 合成電界 / Synthetic electric field |
| キーワード(4)（和/英） | 等電子トラップ / isoelectronic trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 貴洋 / Takahiro MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 行則 / Yukinori MORITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 右田 真司 / Shinji MIGITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水林 亘 / Wataru MIZUBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福田 浩一 / Koichi FUKUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮田 典幸 / Noriyuki MIYATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安田 哲二 / Tetsuji YASUDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 昌原 明植 / Meishoku MASAHARA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 太田 裕之 / Hiroyuki OTA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) |
| 発表年月日 | 2014-08-04 |
| 資料番号 | SDM2014-67,ICD2014-36 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |