| 講演名 | 2014-08-21 ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 田辺 克明, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作製したSi基板上の1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザにおいて、InAs/GaAs量子ドットコア層にp型ドーピングを施すことにより、100℃以上での発振動作を観測した。特性温度T_0は室温近傍にて無限大、100℃近傍にて180Kと非常に高い値を得た。また、Si導波路構造上のInAs/GaAs量子ドットレーザの作製および100℃以上での発振動作にも成功した。 |
| 抄録(英) | We are developing high-performance on-chip light sources utilizing semiconductor quantum dots towards the realization of silicon photonics-electronics integrated circuits. In our present work, we have observed over-100℃ lasing temperatures for 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers on Si substrates fabricated by wafer bonding, by an incorporation of p-type doping in the InAs/GaAs quantum-dot core layers. The characteristics temperature T_0 has been found as high as infinity and 180 K around room temperature and 100℃, respectively. We have furthermore succeeded in the fabrication and over-100℃ operation of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si waveguide structures. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 量子ドット / ウェハ貼り合わせ / シリコンフォトニクス |
| キーワード(英) | Semiconductor Laser / Quantum Dot / Wafer Bonding / Silicon Photonics |
| 資料番号 | R2014-32,EMD2014-37,CPM2014-52,OPE2014-62,LQE2014-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/8/14(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and High-Temperature Operation of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers on Silicon by Wafer Bonding |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor Laser |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dot |
| キーワード(3)（和/英） | ウェハ貼り合わせ / Wafer Bonding |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon Photonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 克明 / Katsuaki TANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 Institute for Nano Quantum Information Electronics, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所 Institute for Nano Quantum Information Electronics, University of Tokyo:Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2014-08-21 |
| 資料番号 | R2014-32,EMD2014-37,CPM2014-52,OPE2014-62,LQE2014-36 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 185 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |