| 講演名 | 2014-08-21 シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 松尾 慎治, 藤井 拓郎, 長谷部 浩一, 武田 浩司, 佐藤 具就, 硴塚 孝明, |
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| 抄録(和) | 埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造(メンブレン構造)を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光の閉じ込めにより低バイアス電流で高速な直接変調の実現が期待される。このため、データコムやコンピュータコムのような直接変調レーザに低消費エネルギー動作が求められる用途に適している。このような背景から、我々はデータコムに向けてシリコン熱酸化膜上の短共振器DFBレーザの検討を行っている。将来的にシリコン基板を用いた大口径プロセスを適用するため直接接合を用いてIII-V族活性層薄膜を熱酸化膜付シリコン基板に接合した後にInP層による埋め込みを行った。作製したDFBレーザはしきい値電流1.8mAで室温連続発振することを確認した。また、直接変調動作においては、バイアス電流8mAで25.8-Gbit/s NRZ信号の明瞭なアイ開口を確認した。 |
| 抄録(英) | Membrane lasers with buried heterostructure are expected to obtain extremely small operating energy because of the enhancement of optical and carrier confinements. Therefore, these lasers are suitable for use the light sources in datacom and computercom applications. In this context, we have developed DFB laser on SiO_2/Si substrate for datacom application by combining direct bonding and regrowth techniques. The DFB laser exhibits a threshold current of 1.8 mA and clear eye-opening with 25.8-Gbit/s NRZ signal when the bias current is 8.0 mA. |
| キーワード(和) | DFBレーザ / オンシリコンレーザ / 横型pin接合 |
| キーワード(英) | DFB laser / laser on Si / lateral pin junction |
| 資料番号 | R2014-25,EMD2014-30,CPM2014-45,OPE2014-55,LQE2014-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/8/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral Current Injection DFB Laser on Si/SiO_2 Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(2)（和/英） | オンシリコンレーザ / laser on Si |
| キーワード(3)（和/英） | 横型pin接合 / lateral pin junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / S. MATSUO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤井 拓郎 / T. Fujii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷部 浩一 / K. Hasebe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 武田 浩司 / K. TAKEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 具就 / T. SATO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 硴塚 孝明 / T. KAKITSUKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社:NTT先端集積デバイス研究所,日本電信電話株式会社 Nanophotonics Center, NTT Corporation:NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2014-08-21 |
| 資料番号 | R2014-25,EMD2014-30,CPM2014-45,OPE2014-55,LQE2014-29 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 185 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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