講演名 2014-08-21
外部共振器構成Cr^<4+>:YAG単結晶ファイバーレーザーのフェムト秒発振(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
石橋 茂雄, 長沼 和則,
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抄録(和) 遷移金属イオンを発光中心とするフェムト秒固体レーザーでは励起光源に半導体レーザー(LD)励起固体レーザーが多く用いられているが,これをLD直接励起に置き換えることは一層の普及のために重要である.我々は単結晶ファイバー導波路を用いたLD直接励起方法を研究しており,今回はCr^<4+>:YAG単結晶ファイバーレーザーについて報告する.レーザー溶融ペデスタル成長法で作製した直径約120μm,長さ40mmのCr^<4+>:YAG単結晶ファイバーを外部共振器と組み合わせ基本横モードを選択し,中心波長1520nmにおいてパルス幅120fsの安定なパルス発振を得た.我々の知る限り,単結晶ファイバーレーザーのモード同期発振は本研究が初めてである.
抄録(英) The development of a cost-effective transition-metal-doped femtosecond laser is required from various fields nowadays. To meet the demands, we are developing a solid-state laser using a single-crystal fiber, which can be directly pumped with a high-power laser diode. A multi-mode single-crystal fiber waveguide about 120 μm in diameter and 40-mm long is made by using the laser-heated pedestal growth method. With an external cavity, the fundamental transverse oscillation mode is selected. We report what is to our knowledge the first mode-locked Cr^<4+>:YAG single-crystal fiber laser, which generates a stable train of pulses with 120-fs duration at a center wavelength of 1520 nm.
キーワード(和) 固体レーザー / モード同期レーザー / フェムト秒パルス / Cr^<4+>:YAG / 単結晶ファイバー / 導波路レーザー
キーワード(英) Solid-state laser / Mode-locked laser / Femtosecond pulse / Cr^<4+>:YAG / Single-crystal fiber / Waveguide laser
資料番号 R2014-23,EMD2014-28,CPM2014-43,OPE2014-53,LQE2014-27
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2014/8/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 外部共振器構成Cr^<4+>:YAG単結晶ファイバーレーザーのフェムト秒発振(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Femtosecond oscillation of Cr^<4+>:YAG single-crystal fiber laser with external cavity
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 固体レーザー / Solid-state laser
キーワード(2)(和/英) モード同期レーザー / Mode-locked laser
キーワード(3)(和/英) フェムト秒パルス / Femtosecond pulse
キーワード(4)(和/英) Cr^<4+>:YAG / Cr^<4+>:YAG
キーワード(5)(和/英) 単結晶ファイバー / Single-crystal fiber
キーワード(6)(和/英) 導波路レーザー / Waveguide laser
第 1 著者 氏名(和/英) 石橋 茂雄 / Shigeo Ishibashi
第 1 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所
NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 長沼 和則 / Kazunori Naganuma
第 2 著者 所属(和/英) NTTアドバンステクノロジ株式会社
NTT Advanced Technology Corporation
発表年月日 2014-08-21
資料番号 R2014-23,EMD2014-28,CPM2014-43,OPE2014-53,LQE2014-27
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 185
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
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