講演名 2014-07-17
2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器(光・電波ワークショップ)
桑田 英悟, 山中 宏治, 坂田 修一, 小山 英寿, 加茂 宣卓, 安藤 晃洋, 中原 和彦, 福本 宏,
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抄録(和) GaN HEMTを用いた2倍波抑圧回路を有する高出力高効率MMIC増幅器について報告する.小型なGaN HEMT MMIC増幅器を試作した結果,4mm×4mmの小さなチップサイズでX帯で20W以上の出力電力,14dB以上の動作利得,43%以上の電力負荷効率が得られた.さらに提案する高調波処理回路によって2次高調波レベルを-45.3dBcへと抑え込むことに成功した.
抄録(英) This paper reports on a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) high power amplifier (HPA), which features high power and high efficiency X band with 5 % relative bandwidth with new matching network of VIA-S MN. A X band GaN HEMT MMIC amplifier with VIA-S MN was manufactured and measured. The circuit dimension is 4 mm by 4 mm. The fabricated MMIC HPA derived output power of 20 W, power gain of 14~20 dB and PAE of 43~46 % in 5% bandwidth. Since VIA-S MN is attached properly, 2nd harmonic output power of the amplifier is 45.3 dB lower than fundamental output power.
キーワード(和) 増幅器 / GaN HEMT / MMIC / 高効率 / 高出力 / 高調波
キーワード(英) Amplifier / GaN HEMT / MMIC / High Efficiency / High Power / Harmonics
資料番号 MW2014-54,OPE2014-23,EST2014-15,MWP2014-12
発行日

研究会情報
研究会 MWP
開催期間 2014/7/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwave and Millimeter-wave Photonics (MWP)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器(光・電波ワークショップ)
サブタイトル(和)
タイトル(英) X Band High Power and High Efficiency Amplifier with 2nd Harmoics rejection circuits
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 増幅器 / Amplifier
キーワード(2)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT
キーワード(3)(和/英) MMIC / MMIC
キーワード(4)(和/英) 高効率 / High Efficiency
キーワード(5)(和/英) 高出力 / High Power
キーワード(6)(和/英) 高調波 / Harmonics
第 1 著者 氏名(和/英) 桑田 英悟 / Eigo KUWATA
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center
第 2 著者 氏名(和/英) 山中 宏治 / Koji YAMANAKA
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center
第 3 著者 氏名(和/英) 坂田 修一 / Shuichi SAKATA
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center
第 4 著者 氏名(和/英) 小山 英寿 / Hidetoshi KOYAMA
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Device Works
第 5 著者 氏名(和/英) 加茂 宣卓 / Yoshitaka KAMO
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Device Works
第 6 著者 氏名(和/英) 安藤 晃洋 / Akihiro Ando
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)鎌倉製作所
Mitsubishi Electric Corporation Kamakura Works
第 7 著者 氏名(和/英) 中原 和彦 / Kazuhiko NAKAHARA
第 7 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)鎌倉製作所
Mitsubishi Electric Corporation Kamakura Works
第 8 著者 氏名(和/英) 福本 宏 / Hiroshi Fukumoto
第 8 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center
発表年月日 2014-07-17
資料番号 MW2014-54,OPE2014-23,EST2014-15,MWP2014-12
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 144
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日