| 講演名 | 2014-07-17 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器(光・電波ワークショップ) 桑田 英悟, 山中 宏治, 坂田 修一, 小山 英寿, 加茂 宣卓, 安藤 晃洋, 中原 和彦, 福本 宏, |
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| 抄録(和) | GaN HEMTを用いた2倍波抑圧回路を有する高出力高効率MMIC増幅器について報告する.小型なGaN HEMT MMIC増幅器を試作した結果,4mm×4mmの小さなチップサイズでX帯で20W以上の出力電力,14dB以上の動作利得,43%以上の電力負荷効率が得られた.さらに提案する高調波処理回路によって2次高調波レベルを-45.3dBcへと抑え込むことに成功した. |
| 抄録(英) | This paper reports on a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) high power amplifier (HPA), which features high power and high efficiency X band with 5 % relative bandwidth with new matching network of VIA-S MN. A X band GaN HEMT MMIC amplifier with VIA-S MN was manufactured and measured. The circuit dimension is 4 mm by 4 mm. The fabricated MMIC HPA derived output power of 20 W, power gain of 14～20 dB and PAE of 43～46 % in 5% bandwidth. Since VIA-S MN is attached properly, 2nd harmonic output power of the amplifier is 45.3 dB lower than fundamental output power. |
| キーワード(和) | 増幅器 / GaN HEMT / MMIC / 高効率 / 高出力 / 高調波 |
| キーワード(英) | Amplifier / GaN HEMT / MMIC / High Efficiency / High Power / Harmonics |
| 資料番号 | MW2014-54,OPE2014-23,EST2014-15,MWP2014-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MWP |
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| 開催期間 | 2014/7/10(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwave and Millimeter-wave Photonics (MWP) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器(光・電波ワークショップ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | X Band High Power and High Efficiency Amplifier with 2nd Harmoics rejection circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 増幅器 / Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | 高効率 / High Efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力 / High Power |
| キーワード(6)（和/英） | 高調波 / Harmonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 桑田 英悟 / Eigo KUWATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji YAMANAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂田 修一 / Shuichi SAKATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小山 英寿 / Hidetoshi KOYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Device Works |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka KAMO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Device Works |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安藤 晃洋 / Akihiro Ando |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)鎌倉製作所 Mitsubishi Electric Corporation Kamakura Works |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中原 和彦 / Kazuhiko NAKAHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)鎌倉製作所 Mitsubishi Electric Corporation Kamakura Works |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 福本 宏 / Hiroshi Fukumoto |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 発表年月日 | 2014-07-17 |
| 資料番号 | MW2014-54,OPE2014-23,EST2014-15,MWP2014-12 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 144 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |