| 講演名 | 2014-07-17 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器(光・電波ワークショップ) 坂田 修一, 桑田 英悟, 山中 宏治, 桐越 祐, 小山 英寿, 加茂 宣卓, 福本 宏, |
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| 抄録(和) | GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を用いたMMIC(Monolithic Microwave Integrated Cricuits)構成のC-Ku帯115%比帯域高出力増幅器について報告する.試作を行った広帯域高出力MMIC増幅器はC-Ku帯(115%比帯域)の広帯域に渡って平均で出力電力20.6W,PAE(Power Added Efficiency)18.3%の高出力かつ高効率が得られた.この出力電力はKu帯の周波数まで動作し比帯域100%以上のGaN HEMT MMIC増幅器としては最大の出力電力である.また面積当たりの出力電力も過去文献に対して最も高い結果が得られた. |
| 抄録(英) | This paper reports on a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) high power amplifier(HPA), which features high power over C-Ku band 115% relative bandwidth. A C-Ku band GaN HEMT MMIC amplifier was manufactured and measured. The fabricated MMIC HPA delivered an averaged output power of 20.6W with averaged power added efficiency of 18.3% over C-Ku band. The output power and the power density are state-of-the-art performance for GaN HEMT MMIC amplifiers with more than 100% relative bandwidth and up to Ku band operation frequency. |
| キーワード(和) | 広帯域増幅器 / GaN HEMT / 高出力増幅器 / マイクロ波 / 広帯域 |
| キーワード(英) | Broadband amplifiers / GaN HEMT / power amplifier / microwave / broadband |
| 資料番号 | MW2014-53,OPE2014-22,EST2014-14,MWP2014-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MWP |
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| 開催期間 | 2014/7/10(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwave and Millimeter-wave Photonics (MWP) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器(光・電波ワークショップ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-Ku Band Ultra Broadband High Power Reactive Matching MMIC Amplifier using Broadband Interstage Matching Network |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 広帯域増幅器 / Broadband amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(5)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂田 修一 / Shuichi Sakata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桐越 祐 / Tasuku Kirikoshi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Mitsubishi Electric Corporation, Communication Systems Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小山 英寿 / Hidetoshi Koyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency and Optical Device Works |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency and Optical Device Works |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福本 宏 / Hiroshi Fukumoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center |
| 発表年月日 | 2014-07-17 |
| 資料番号 | MW2014-53,OPE2014-22,EST2014-14,MWP2014-11 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 144 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |