講演名 2014-06-20
III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ(「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術,一般)
一宮 佑希, 横山 正史, 竹中 充, 高木 信一,
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抄録(和) III-VCMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator(III-V-OI)基板を用いることで化合物半導体層への強い光閉じ込めを実現し、またレーザーなどのアクティブデバイスとパッシブデバイス、さらにはCMOS回路とのモノリシック集積も可能にするプラットフォームである。今回、III-V CMOSフォトニクスを用いてキャリア注入型マッハツェンダー干渉計InGaAsP細線導波路光スイッチを作製した。屈折率変調部の長さは50μmと小型でありながら、クロストークは-29dBという値を得た。これは同様の構造のSi細線導波路光スイッチの限界値と比べ約10dB小さい値であり、Siフォトニクスに対するIII-V CMOSフォトニクスの優位性を実証した。
抄録(英) III-V CMOS photonics is a platform which enables strong optical confinement for the III-V waveguides by using III-V on insulator wafers fabricated by wafer bonding. III-V CMOS photonics also enables monolithic integration of high performance active photonic devices including lasers and modulators and photodetectors, passive photonic-wire waveguides, and CMOS curcuits. In this paper, we have demonstrated carrier-injection type Mach-Zehnder interferometer optical switches on III-V CMOS photonics platform. In spite of its short phase-shifter length of 50 μm, crosstalk was as low as -29 dB, which was about 10 dB better than the theoretical limit in Si optical switches.
キーワード(和) 光スイッチ / 光集積回路 / 基板貼り合わせ / クロストーク / III-V CMOSフォトニクス
キーワード(英) Optical switches / Photonic integrated circuits / Wafer bonding / Crosstalk / III-V CMOS photonics
資料番号 OPE2014-21,LQE2014-26
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2014/6/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ(「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Small, low-crosstalk optical switches using III-V CMOS photonics platform
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 光スイッチ / Optical switches
キーワード(2)(和/英) 光集積回路 / Photonic integrated circuits
キーワード(3)(和/英) 基板貼り合わせ / Wafer bonding
キーワード(4)(和/英) クロストーク / Crosstalk
キーワード(5)(和/英) III-V CMOSフォトニクス / III-V CMOS photonics
第 1 著者 氏名(和/英) 一宮 佑希 / Yuki IKKU
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科電気系工学専攻
Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 横山 正史 / Masafumi YOKOYAMA
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科電気系工学専攻
Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 竹中 充 / Mitsuru TAKENAKA
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科電気系工学専攻
Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo
第 4 著者 氏名(和/英) 高木 信一 / Shinichi TAKAGI
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科電気系工学専攻
Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo
発表年月日 2014-06-20
資料番号 OPE2014-21,LQE2014-26
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 97
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日