講演名 | 2014-06-20 1.3μm帯InGaAlAs MQW RS-BH DFBレーザによる56Gb/s直接変調の検討(「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術,一般) 中原 宏治, 若山 雄貴, 北谷 健, 谷口 隆文, 深町 俊彦, 佐久間 康, 田中 滋久, |
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抄録(和) | 100GbEの次世代イーサ規格として標準化が進んでいる400GbEにおける各種提案方式のうち、有望視されている50Gb/s×8ch方式の低コスト送信光源への適用を目的として1.3μm帯直接変調レーザの高速動作を検討した。低リーク電流と高光閉じ込め係数を実現する新規埋込構造(RS-BH)の適用により、長波長の高速直接変調レーザとして85℃まで世界最小の低しきい電流を実現した。また、28Gb!s動作で低域ロールオフでの優位性を実証したACPM-DFB構造により、約30GHzの3dB帯域と帯域内偏差0.3dB以下の良好な周波数特性を得た。これらの半導体レーザ構造により、55℃における56Gb/s動作を実証し、本構造が次世代Ether低コスト省電力送信光源として有望であることを示した。 |
抄録(英) | Demands for the highly efficient transmission of large amounts of data capacity have become pressing with the explosive growth of Internet/intranet traffic. To meet these demands, the next-generation Ethernet standardization, 400-Gb/s Ethernet (400GbE) are being actively discussed. In this study, a new type of buried heterostruture DFB laser, namely, a ridge-shaped buried heterostructure (RS-BH) DFB laser, for high bit rate operation is proposed. It is experimentally demonstrated that the proposed RS-BH DFB lasers with an asymmetric corrugation-pitch-modulated (ACPM) grating have low threshold current and high frequency response. These superior lasing characteristics of RS-BH ACPM DFB lasers enable 56-Gb/s direct modulation at 55℃. |
キーワード(和) | 400GbE / 1.3μm帯直接変調レーザ / RS-BH / ACPM-DFB / 56Gb/s動作 |
キーワード(英) | 400GbE / 1.3-μm directly modulated laser / RS-BH / ACPM-DFB / 56 Gb/s operation |
資料番号 | OPE2014-17,LQE2014-22 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OPE |
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開催期間 | 2014/6/13(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 1.3μm帯InGaAlAs MQW RS-BH DFBレーザによる56Gb/s直接変調の検討(「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Investigation of 56-Gb/s direct modulation in 1.3-μm InGaAlAs-MQW RS-BH DFB lasers |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 400GbE / 400GbE |
キーワード(2)(和/英) | 1.3μm帯直接変調レーザ / 1.3-μm directly modulated laser |
キーワード(3)(和/英) | RS-BH / RS-BH |
キーワード(4)(和/英) | ACPM-DFB / ACPM-DFB |
キーワード(5)(和/英) | 56Gb/s動作 / 56 Gb/s operation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中原 宏治 / Kouji NAKAHARA |
第 1 著者 所属(和/英) | 日立製作所中央研究所 Hitachi, Central Research Lab. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 若山 雄貴 / Yuki WAKAYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 日立製作所中央研究所 Hitachi, Central Research Lab. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 北谷 健 / Takeshi KITATANI |
第 3 著者 所属(和/英) | 日立製作所中央研究所 Hitachi, Central Research Lab. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 谷口 隆文 / Takafumi TANIGUCHI |
第 4 著者 所属(和/英) | 日立製作所中央研究所 Hitachi, Central Research Lab. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 深町 俊彦 / Toshihiko FUKAMACHI |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本オクラロ Oclaro Japan |
第 6 著者 氏名(和/英) | 佐久間 康 / Yasushi SAKUMA |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本オクラロ Oclaro Japan |
第 7 著者 氏名(和/英) | 田中 滋久 / Shigehisa TANAKA |
第 7 著者 所属(和/英) | 日立製作所中央研究所 Hitachi, Central Research Lab. |
発表年月日 | 2014-06-20 |
資料番号 | OPE2014-17,LQE2014-22 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 97 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |