| 講演名 | 2014-06-20 YAlO_3単結晶基板の表面処理条件の探索とCr_2O_3薄膜の結晶成長(材料デバイスサマーミーティング) 林 佑太郎, 中村 拓未, 隅田 貴士, 橋本 浩佑, 山本 寛, 岩田 展幸, |
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| 抄録(和) | c面YAlO_3(YAO)基板のアニール最適条件探索を行い、この基板上にCr_2O_3薄膜を作製した。基板のアニール条件として900℃・3時間、700～1000℃・6時間、900℃・12時間、900℃・24時間、水酸化ナトリウム(NaOH)でのエッチング後900℃・6時間、1000℃・1時間を試した。700℃・6時間の熱処理条件では基板表面に粒径50nm程度の粒子が観測された。5MのNaOHで基板エッチング後、1000℃・1時間の条件で熱処理すると基板表面に粒子は観測されず、ステップ-テラス構造を示した。この基板上にCr_2O_3薄膜の成膜を行った。Cr_2O_3薄膜表面は0.5μm×O.5μm程度の板状のグレインが深い溝を形成しながら成長した。一つのグレイン表面に注目すると、1ユニットのステップ-テラス構造を示す原子レベルで平坦であることがわかった。 |
| 抄録(英) | Cr_2O_3 thin film is deposited on surface treated YAlO_3(YAO)(001) substrate. Surface treatment is carried out at 900℃ for 3 h, 700～1000℃ for 6 h, at 900℃ for 12 h, and 24 h. In addition, annealing is done at 900℃ for 6 h and 1000℃ for 1 h after surface etching using 5M-NaOH solution. At 700℃ for 6 h, particles appear on the surface with 50 nm in diameter. After NaOH etching and annealing at 1000℃ for 1 h, clear step-terraces structure with unit step height. The r-oriented Cr_2O_3 thin film grows on orthorhombic YAO(001) substrate with a atomically flat surface, though deep trenches still remain between grain boundary. |
| キーワード(和) | Cr_2O_3 / 薄膜 / YAlO_3 / 熱処理 |
| キーワード(英) | Cr_2O_3 / films / YAlO_3 / Heat treatment |
| 資料番号 | EMD2014-21,CPM2014-41,OME2014-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2014/6/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | YAlO_3単結晶基板の表面処理条件の探索とCr_2O_3薄膜の結晶成長(材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Search of the surface treatment conditions of a YAlO_3 single-crystal substance, and crystal growth of Cr_2O_3 thin film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cr_2O_3 / Cr_2O_3 |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / films |
| キーワード(3)（和/英） | YAlO_3 / YAlO_3 |
| キーワード(4)（和/英） | 熱処理 / Heat treatment |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 佑太郎 / Yutaro Hayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 拓未 / Takumi Nakamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 隅田 貴士 / Takashi Sumida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋本 浩佑 / Kosuke Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 発表年月日 | 2014-06-20 |
| 資料番号 | EMD2014-21,CPM2014-41,OME2014-29 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 96 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |