| 講演名 | 2014-06-20 LiNbO_3基板上におけるCr_2O_3薄膜の結晶成長および構造解析(材料デバイスサマーミーティング) 中村 拓未, 林 佑太郎, 隅田 貴士, 橋本 浩佑, 岩田 展幸, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | c面およびr面LiNb0_3(LNO)基板のアニール最適条件探索を行った。c面では温度1000℃～1200℃、5時間、r面では温度700℃～1050℃、3～24時間大気中でアニールを行った。c面において1200℃、6時間で直線状のステップが得られたが、約2μm周期でバンチングステップが現れた。r面では、アニール時間が3時間と短く、もしくはアニール温度が900℃と高い場合、ユニットステップおよびバンチングステップを示す針状のグレインが現れた。750℃,6時間、900℃,12時間で直線状に近いステップが得られた。Liの蒸発を抑えるため、r面LNO基板を二枚重ねて1050℃、3時間で熱処理した。その結果、直線状のステップを得たが、一部バンチングステップが発生していた。ステップが直線状となったLNO基板上にCr_2O_3薄膜を成膜した。c面では薄膜表面にステップ-テラス構造および深さ3nm、直径50nmのホールを確認した。r面では一方向に長い一軸異方性を持ったグレインが成長し、グレイン間に約35nmの深い溝が発生していた。アニール時に重ねて成膜した場合、粒径200nmの細かいグレインが成長していた。 |
| 抄録(英) | Annealing condition of LiNbO_3(LNO)(0001) and (1-102) substrates is investigated to obtain step-terraces (S-T) surface structure. The LNO(OOO1) and (1-102) substrates are annealed between 1000℃ and 1200℃ for 5 hours, and between 700℃ and 1050℃ for 3 to 24 hours in air, respectively. The surface of LNO(OOO1) shows the S-T structure at 1200℃ for 5 hours, though bunching steps are also observed every 2 μm. The surface of LNO(1-102) shows needle-like grains with the height of unit step as well as bunching steps in the annealing condition of 3 hours or more than 900℃. At 750℃ for 6 hours and/or 900℃ for 12 hours, almost all of the steps are straight. When two polished surfaces of the LNO(1-102) substrates is face to face, and annealed at 1050℃ for 3 hours, a straight unit step is obtained with partial bunching steps. On LNO(0001), Cr_2O_3 thin film grows three dimensionally with 3 nm-depth-holes and 50 nm in diameter, however, the S-T structure is also observed in one grain. On LNO(1-102), anisotropic grains along one direction are observed with deep trenches of approximately 35 nm between the grains. The grains with 200 nm in diameter grow on face-to-face annealed substrate. |
| キーワード(和) | Cr_2O_3 / LiNbO_3 / アニール / 薄膜 / 成長 |
| キーワード(英) | Cr_2O_3 / LiNbO_3 / anneal / films / growth |
| 資料番号 | EMD2014-20,CPM2014-40,OME2014-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2014/6/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | LiNbO_3基板上におけるCr_2O_3薄膜の結晶成長および構造解析(材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth and Structure Analysis of the Cr_2O_3 thin films on LiNbO_3 Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cr_2O_3 / Cr_2O_3 |
| キーワード(2)（和/英） | LiNbO_3 / LiNbO_3 |
| キーワード(3)（和/英） | アニール / anneal |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / films |
| キーワード(5)（和/英） | 成長 / growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 拓未 / Takumi Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 佑太郎 / Yutaro Hayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 隅田 貴士 / Takashi Sumida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋本 浩佑 / Kosuke Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
| 発表年月日 | 2014-06-20 |
| 資料番号 | EMD2014-20,CPM2014-40,OME2014-28 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 96 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |