講演名 2014-06-20
溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理(材料デバイスサマーミーティング)
寺迫 智昭, 村上 聡宏, 兵頭 篤, 白方 祥,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 溶液成長(CBD)法によるn-ZnO/p-CuOヘテロ接合形成時にディップコーティング法ZnO(Dip-coating ZnO)層を挿入することでリーグ電流が抑制された.n-ZnO/Dip-coating ZnO/p-CuOヘテロ接合のJ-V特性から求めた閾値電圧(V_)と理想因子(n)及びC-V特性より求めた拡散電位(V_)はCuO層ポストアニーリング温度(T_A)によって変化し,T_A=250℃付近で最小であった.一方,I_F/I_R(I_Fは順方向電流,I_Rは逆方向電流)はT_A=225℃以上で低いことから,V_及びV_の低下はヘテロ界面に形成された界面準位を介したトンネル電流によるものと考えられる.
抄録(英) Electrical properties of n-ZnO/p-CuO heterojunctions prepared by chemical bath deposition were investigated. The insertion of intermediate layer, such as ZnO layer grown by dip-coating, was found to be effective for suppressing leakage current. For the ZnO/Dip-coating ZnO/CuO heterojunctions, the threshold voltage V_ and ideality factor n of the J-V curve and the built-in potential V_ determined from the C-V curve had minima around the post-annealing temperature for CuO layer (T_A) of 250℃. Relatively low I_F/I_R values (I_F: forward current, I_R: reverse current) at T_As higher than T_A=225℃ suggest the contribution of the tunnel current through the defect states to the reduction of the V_ and V_.
キーワード(和) 溶液成長法 / ZnO / CuO / pnヘテロ接合
キーワード(英) Chemical bath deposition / ZnO / CuO / pn heterojunction
資料番号 EMD2014-19,CPM2014-39,OME2014-27
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2014/6/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善 : 中間層挿入と熱処理(材料デバイスサマーミーティング)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Improvement of Electrical Properties of n-ZnO/p-CuO Heterojunctions Prepared by Chemical Bath Deposition : Insertion of Intermediate Layer and Thermal Annealing
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 溶液成長法 / Chemical bath deposition
キーワード(2)(和/英) ZnO / ZnO
キーワード(3)(和/英) CuO / CuO
キーワード(4)(和/英) pnヘテロ接合 / pn heterojunction
第 1 著者 氏名(和/英) 寺迫 智昭 / Tomoaki TERASAKO
第 1 著者 所属(和/英) 愛媛大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ehime University
第 2 著者 氏名(和/英) 村上 聡宏 / Toshihiro MURAKAMI
第 2 著者 所属(和/英) 愛媛大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ehime University
第 3 著者 氏名(和/英) 兵頭 篤 / Atsushi HYOUDOU
第 3 著者 所属(和/英) 愛媛大学工学部
Faculty of Engineering, Ehime University
第 4 著者 氏名(和/英) 白方 祥 / Sho SHIRAKATA
第 4 著者 所属(和/英) 愛媛大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ehime University
発表年月日 2014-06-20
資料番号 EMD2014-19,CPM2014-39,OME2014-27
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 96
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日