講演名 | 2014-06-20 YAlO_3単結晶基板の表面処理条件の探索とCr_2O_3薄膜の結晶成長(材料デバイスサマーミーティング) 林 佑太郎, 中村 拓未, 隅田 貴士, 橋本 浩佑, 山本 寛, 岩田 展幸, |
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抄録(和) | c面YAlO_3(YAO)基板のアニール最適条件探索を行い、この基板上にCr_2O_3薄膜を作製した。基板のアニール条件として900℃・3時間、700~1000℃・6時間、900℃・12時間、900℃・24時間、水酸化ナトリウム(NaOH)でのエッチング後900℃・6時間、1000℃・1時間を試した。700℃・6時間の熱処理条件では基板表面に粒径50nm程度の粒子が観測された。5MのNaOHで基板エッチング後、1000℃・1時間の条件で熱処理すると基板表面に粒子は観測されず、ステップ-テラス構造を示した。この基板上にCr_2O_3薄膜の成膜を行った。Cr_2O_3薄膜表面は0.5μm×O.5μm程度の板状のグレインが深い溝を形成しながら成長した。一つのグレイン表面に注目すると、1ユニットのステップ-テラス構造を示す原子レベルで平坦であることがわかった。 |
抄録(英) | Cr_2O_3 thin film is deposited on surface treated YAlO_3(YAO)(001) substrate. Surface treatment is carried out at 900℃ for 3 h, 700~1000℃ for 6 h, at 900℃ for 12 h, and 24 h. In addition, annealing is done at 900℃ for 6 h and 1000℃ for 1 h after surface etching using 5M-NaOH solution. At 700℃ for 6 h, particles appear on the surface with 50 nm in diameter. After NaOH etching and annealing at 1000℃ for 1 h, clear step-terraces structure with unit step height. The r-oriented Cr_2O_3 thin film grows on orthorhombic YAO(001) substrate with a atomically flat surface, though deep trenches still remain between grain boundary. |
キーワード(和) | Cr_2O_3 / 薄膜 / YAlO_3 / 熱処理 |
キーワード(英) | Cr_2O_3 / films / YAlO_3 / Heat treatment |
資料番号 | EMD2014-21,CPM2014-41,OME2014-29 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EMD |
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開催期間 | 2014/6/13(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | YAlO_3単結晶基板の表面処理条件の探索とCr_2O_3薄膜の結晶成長(材料デバイスサマーミーティング) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Search of the surface treatment conditions of a YAlO_3 single-crystal substance, and crystal growth of Cr_2O_3 thin film |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Cr_2O_3 / Cr_2O_3 |
キーワード(2)(和/英) | 薄膜 / films |
キーワード(3)(和/英) | YAlO_3 / YAlO_3 |
キーワード(4)(和/英) | 熱処理 / Heat treatment |
第 1 著者 氏名(和/英) | 林 佑太郎 / Yutaro Hayashi |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 中村 拓未 / Takumi Nakamura |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 隅田 貴士 / Takashi Sumida |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 橋本 浩佑 / Kosuke Hashimoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ. |
発表年月日 | 2014-06-20 |
資料番号 | EMD2014-21,CPM2014-41,OME2014-29 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 94 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |