| 講演名 | 2014-05-22 CMOS互換プロセスによるSOI横型PIN光検出器の高速応答特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般) 李 根, 前北 和晃, 丸山 武男, 飯山 宏一, |
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| 抄録(和) | SOI基板上にCMOS互換プロセスを用いて,薄膜Siの横型PIN光検出器を作製し,波長0.8μm帯での特性評価を行った.作製した光検出器は,受光面積23μm×23μm,電極間隔3μm,電極幅1μmである.i層幅1μmのPIN型光検出器において,10V印加時の暗電流は0.1nAであった.波長850nmにおいて,10V印加時,感度6.2mA/W,帯域6.5GHzを得た.また,30V印加時,最大帯域8GHzを得た. |
| 抄録(英) | We fabricated a lateral PIN-type Si photodetector on silicon-on-insulator (SOI) substrate by a complementarymetal-oxide-semiconductor (CMOS) compatible process. The devices were measured at the wavelength of 0.8 μm region. Receiving area is 23 x 23 μm^2, and electrode spacing is 3 μm with electrode width of 1 μm. The intrinsic region of the PIN-type Si photodetector is 1 μm. The dark current of 0.1 nA was obtained at the bias voltage of 10 V. The responsivity of 6.2 A/W, and high frequency response of 6.5 GHz was obtained at the bias voltage of -10 V at the wavelength of 850 nm. The maximum bandwidth of 8 GHz was obtained at the bias voltage of 30 V. |
| キーワード(和) | CMOS互換プロセス / PIN型Si光検器 / SOI / シリコンフォトニクス |
| キーワード(英) | CMOS compatible process / PIN-type Si photodetector / Silicon on insulator / Silicon photonics |
| 資料番号 | LQE2014-1 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2014/5/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CMOS互換プロセスによるSOI横型PIN光検出器の高速応答特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed Response of SOI Lateral PIN-type Photodiode Fabricated bv CMOS Compatible Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS互換プロセス / CMOS compatible process |
| キーワード(2)（和/英） | PIN型Si光検器 / PIN-type Si photodetector |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / Silicon on insulator |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 李 根 / Gen LI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前北 和晃 / Kazuaki MAEKITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 飯山 宏一 / Koichi IIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 発表年月日 | 2014-05-22 |
| 資料番号 | LQE2014-1 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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