| 講演名 | 2013-12-13 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550nm帯20層積層QD-SOAの特性評価(半導体レーザ関連技術,及び一般) 松本 敦, 松下 明日香, 武井 勇樹, 赤羽 浩一, 松島 裕一, 宇高 勝之, |
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| 抄録(和) | 光論理ゲート素子に向け、歪補償技術を用いて量子ドット(QD)を20層積層した量子ドット半導体光増幅器(QD-SOA)を作製し、その基本的な特性を評価した。作製したQD-SoAの素子長は1650μmであり、波長1558nmの光を入射し、500mA程度の電流を注入した際、最大利得は20dBであり、利得係数としては27.9cm^<-1>が得られた。また、パルス幅360fsのフェムト秒パルスレーザ光をQD-SOAに入射させ自己相関波形を観察した結果、入射光に比べ増加したパルス幅は55fs程度であった。 |
| 抄録(英) | In this paper, we fabricated the QD-SOA which utilized the 20-layer-stacked quantum dots structure with the strain-compensation technique for the purpose of all optical logic gate device, and measured the fundamental characteristics of the QD-SOA. The device length of fabricated QD-SOA was 1650μm, and when the input light, whose wavelength was 1558 nm, input the QD-SOA, which was driven by 500 mA of injection current, the maximum gain of 20 dB and the modal gain coefficient of 27.9cm^<-1> were obtained. And also, we input femto-second pulse laser light into QD-SOA and observed the auto-correlation waveforms. Compared to the input pulse light, output light from SOA was broadened by 15 %, 55 fs. |
| キーワード(和) | 光論理ゲート / 量子ドット / 半導体光増幅器 |
| キーワード(英) | Optical Logic Gate / Quantum Dots / Semiconductor Optical Amplifier |
| 資料番号 | LQE2013-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2013/12/6(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550nm帯20層積層QD-SOAの特性評価(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fundamental Characteristics of 1550nm-Band 20-Layer-Stacked QD-SOA Grown on InP(311)B Substrate for All-Optical Logic Gate Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光論理ゲート / Optical Logic Gate |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor Optical Amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 Faculty ofScience and Engineering, Waseda University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松下 明日香 / Asuka Matsushita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 Faculty ofScience and Engineering, Waseda University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武井 勇樹 / Yuki Takei |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 Faculty ofScience and Engineering, Waseda University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology(NICT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松島 裕一 / Yuichi Matsushima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 早稲田大学グリーンコンピユーテイングシステム研究機構 Green Computing Systems Research Organization, Waseda University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学術院 Faculty ofScience and Engineering, Waseda University |
| 発表年月日 | 2013-12-13 |
| 資料番号 | LQE2013-133 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 352 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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