講演名 | 2013-12-13 カプセル型キャビティを用いた微小金属半導体レーザーの設計(半導体レーザ関連技術,及び一般) 張 柏富, 沖本 拓也, 種村 拓夫, 中野 義昭, |
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抄録(和) | 微小金属InP/InGaAsレーザーの実現に向けて,新規のカプセル型キャビティ構造を提案し,Q値,閉じ込め係数,発振閾電流値などを計算したので報告する。従来の直方体型キャビティの両端に曲面金属ミラー構造を導入することで,共振モードの光電界分布をキャビティの中央に閉じ込めることができ,金属界面における光損失が大幅に削減される.一例として,1.1μm×0.84μm×1.4μmの構造に本手法を取り入れることで,従来の直方体型と比較して,Q値が197から297に増加し,発振閾値が291μAから60μAまで小さくなることを示す.さらに,閾値電流を最小にする最適なキャビティ幅が存在することを示す. |
抄録(英) | We propose a novel subwavelength metallic InP/InGaAs laser with a capsule-shaped cavity. By introducing curved metallic facets at the both ends, resonant modes can be strongly confined inside the center of this capsule-shaped cavity, which not only improves the confinement factor and the Q factor, but also reduces the cavity volume. As an example case, we numerically demonstrate that this new structure can decrease the plasmonic loss and improve the Q factor from 197 to 297 and reduce the current threshold from 291 μA down to 60 μA with a cavity dimension of 1.1μm×0.84μm×1.4μm. In addition, we demonstrate that there exists an optimal cavity width to minimize the current threshold. |
キーワード(和) | 金属ナノレーザー / プラズモニクス / 光インターコネクト |
キーワード(英) | Nanometallic laser / Plasmonics / Optical interconnects |
資料番号 | LQE2013-125 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2013/12/6(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | カプセル型キャビティを用いた微小金属半導体レーザーの設計(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Design of Capsule-Shaped Cavity for Nanometallic Semiconductor Lasers |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 金属ナノレーザー / Nanometallic laser |
キーワード(2)(和/英) | プラズモニクス / Plasmonics |
キーワード(3)(和/英) | 光インターコネクト / Optical interconnects |
第 1 著者 氏名(和/英) | 張 柏富 / Baifu ZHANG |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 School of Engineering, The University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 沖本 拓也 / Takuya OKIMOTO |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 School of Engineering, The University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 種村 拓夫 / Takuo TANEMURA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 School of Engineering, The University of Tokyo |
第 4 著者 氏名(和/英) | 中野 義昭 / Yoshiaki NAKANO |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 School of Engineering, The University of Tokyo |
発表年月日 | 2013-12-13 |
資料番号 | LQE2013-125 |
巻番号(vol) | vol.113 |
号番号(no) | 352 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |