講演名 2013-12-13
カプセル型キャビティを用いた微小金属半導体レーザーの設計(半導体レーザ関連技術,及び一般)
張 柏富, 沖本 拓也, 種村 拓夫, 中野 義昭,
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抄録(和) 微小金属InP/InGaAsレーザーの実現に向けて,新規のカプセル型キャビティ構造を提案し,Q値,閉じ込め係数,発振閾電流値などを計算したので報告する。従来の直方体型キャビティの両端に曲面金属ミラー構造を導入することで,共振モードの光電界分布をキャビティの中央に閉じ込めることができ,金属界面における光損失が大幅に削減される.一例として,1.1μm×0.84μm×1.4μmの構造に本手法を取り入れることで,従来の直方体型と比較して,Q値が197から297に増加し,発振閾値が291μAから60μAまで小さくなることを示す.さらに,閾値電流を最小にする最適なキャビティ幅が存在することを示す.
抄録(英) We propose a novel subwavelength metallic InP/InGaAs laser with a capsule-shaped cavity. By introducing curved metallic facets at the both ends, resonant modes can be strongly confined inside the center of this capsule-shaped cavity, which not only improves the confinement factor and the Q factor, but also reduces the cavity volume. As an example case, we numerically demonstrate that this new structure can decrease the plasmonic loss and improve the Q factor from 197 to 297 and reduce the current threshold from 291 μA down to 60 μA with a cavity dimension of 1.1μm×0.84μm×1.4μm. In addition, we demonstrate that there exists an optimal cavity width to minimize the current threshold.
キーワード(和) 金属ナノレーザー / プラズモニクス / 光インターコネクト
キーワード(英) Nanometallic laser / Plasmonics / Optical interconnects
資料番号 LQE2013-125
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2013/12/6(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 ENG
タイトル(和) カプセル型キャビティを用いた微小金属半導体レーザーの設計(半導体レーザ関連技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design of Capsule-Shaped Cavity for Nanometallic Semiconductor Lasers
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 金属ナノレーザー / Nanometallic laser
キーワード(2)(和/英) プラズモニクス / Plasmonics
キーワード(3)(和/英) 光インターコネクト / Optical interconnects
第 1 著者 氏名(和/英) 張 柏富 / Baifu ZHANG
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
School of Engineering, The University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 沖本 拓也 / Takuya OKIMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
School of Engineering, The University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 種村 拓夫 / Takuo TANEMURA
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
School of Engineering, The University of Tokyo
第 4 著者 氏名(和/英) 中野 義昭 / Yoshiaki NAKANO
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
School of Engineering, The University of Tokyo
発表年月日 2013-12-13
資料番号 LQE2013-125
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 352
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日