| 講演名 | 2013-12-20 3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般) 姜 〓〓, 渥美 裕樹, 林 侑介, 鈴木 純一, 久能 雄輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | シリコンフォトニクスによる光インターコネクトは多層構造を導入することで更なる高伝送密度化が可能である。本研究では多層間の信号伝送用構造として採用しているグレーティングカプラの上下を金属ミラーで挟むことにより、1回の回折格子結合では捕捉しきれない成分を反射させることによる高効率結合化を目指した。3次元FDTDを用いて構造設計を行った結果、金属ミラーを用いない場合の約3倍となる結合効率90%が見積もられた。作製プロセスはa-Si:Hをコアとする導波路形成を含めすべて300℃以下で行い、回折格子周期数20の素子で結合効率83%が得られた。 |
| 抄録(英) | Silicon photonics for optical interconnects can further improve the signal transmission density by introducing multilayered structure. In this work, we used grating couplers with metal mirrors for the inter-layer connection in multi-layered a-Si:H waveguides. The coupling efficiency of 90%, which was around 3 times higher than that without metal mirrors, was estimated by 3D-FDTD simulation. Devices were fabricated by process temperatures below 300℃ and the coupling efficiency of 83% was obtained for a device with the number of grating periods of 20. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / アモルファスシリコン / 層間結合 / グレーティングカプラ / 金属ミラー |
| キーワード(英) | Silicon Photonics / Amorphous silicon / Inter-layer coupling / Grating coupler / Metal mirror |
| 資料番号 | OPE2013-142 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2013/12/13(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Metal mirror assisted grating couplers between multilayered waveguides toward 3D optical interconnects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon Photonics |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファスシリコン / Amorphous silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 層間結合 / Inter-layer coupling |
| キーワード(4)（和/英） | グレーティングカプラ / Grating coupler |
| キーワード(5)（和/英） | 金属ミラー / Metal mirror |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 姜 〓〓 / JoonHyun Kang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渥美 裕樹 / Yuki Atsumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 林 侑介 / Yusuke Hayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 純一 / Junichi Suzuki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久能 雄輝 / Yuki Kuno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学理工学研究科量子ナノエレクトロニクス研究センター Dept. of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology:Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013-12-20 |
| 資料番号 | OPE2013-142 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 370 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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