| 講演名 | 2013-12-20 ゲルマニウム発光の温度依存性の第一原理計算(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般) 諏訪 雄二, |
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| 抄録(和) | シリコンチップ上で作成するゲルマニウムレーザーの実現を目的として,引っ張り歪みとn型ドーピングを加えたゲルマニウムの発光の温度依存性を第一原理計算に基づき検討した.その結果,自然放出の温度依存性から,電子注入が発振のために必要な量に達しているか否かを判定できることを見いだした. |
| 抄録(英) | Temperature dependence of light emission from germanium is studied based on first-principles calculations for the purpose of realizing germanium laser, which can be integrated onto a silicon chip. As a result, we found that whether electron injection is enough for lasing or not can be evaluated by measuring temperature dependence of spontaneous emissions. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム / 発光 / 歪み / ドーピング / バンド / 光学遷移行列 / ハイブリッド汎関数 |
| キーワード(英) | Germanium / light emission / strain / doping / band / optical transition matrix / hybrid functional |
| 資料番号 | OPE2013-139 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2013/12/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲルマニウム発光の温度依存性の第一原理計算(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | First Principles Study of Temperature Dependece of Light Emission from Germanium |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 発光 / light emission |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング / doping |
| キーワード(5)（和/英） | バンド / band |
| キーワード(6)（和/英） | 光学遷移行列 / optical transition matrix |
| キーワード(7)（和/英） | ハイブリッド汎関数 / hybrid functional |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 諏訪 雄二 / Yuji SUWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発プロジェクト:(株)日立製作所中央研究所 Photonics Electronics Technology Research Association:Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2013-12-20 |
| 資料番号 | OPE2013-139 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 370 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |