講演名 2013-12-19
GaN HEMT大信号モデル用多段はしご型RC熱等価回路の実験的抽出手法(学生発表会,学生研究会/マイクロ波一般)
吉田 慎悟, 石川 亮, 本城 和彦,
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抄録(和) これまでに,メモリ効果により生じる3次相互変調ひずみを多段はしご型RC熱等価回路によりモデル化する手法を提案しているが,3次元熱シミュレータを用いて熱等価回路のパラーメータを決定していた.今回,専用の熱解析シミュレータを使用せずにパルス波入力に対する過渡応答の測定結果から熱等価回路のパラーメータを見積もる新たな方法について報告する.この手法を用いて実際にAlGaN/GaN HEMT素子の熱パラメータを抽出し,試作したAlGaN/GaN HEMT増幅器の3次相互変調ひずみの評価を行い,熱等価回路を組み込んだ大信号モデルを用いたシミュレーションによりひずみ特性が精度良く再現されることを確認した.
抄録(英) We have been developing an analysis method for third-order intermodulation distortion caused by a thermal memory effect. An equivalent multistage thermal RC ladder circuit is used to emulate this effect precisely. Circuit parameters were estimated based on a three-dimensional thermal simulation, in a previous work. To omit this process, an experimental parameter estimation method has been proposed. The circuit parameters are estimated from a transient electrical step response measurement. This method was applied to a AlGaN/GaN HEMT element. The third-order intermodulation distortion for a fabricated GaN HEMT amplifier was evaluated. The measured results were well predicted in a simulation that an Angelov-GaN large signal model connecting the extracted multistage thermal RC ladder circuit was used.
キーワード(和) GaN HEMT / 大信号モデル / 電力増幅器 / RC熱等価回路 / 3次相互変調ひずみ
キーワード(英) GaN HEMT / large signal model / power amplifier / RC ladder circuit / IMD3
資料番号 MW2013-156
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2013/12/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) GaN HEMT大信号モデル用多段はしご型RC熱等価回路の実験的抽出手法(学生発表会,学生研究会/マイクロ波一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Experimental parameter extraction method for an equivalent multistage thermal RC ladder circuit used to a GaN HEMT large-signal model
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT
キーワード(2)(和/英) 大信号モデル / large signal model
キーワード(3)(和/英) 電力増幅器 / power amplifier
キーワード(4)(和/英) RC熱等価回路 / RC ladder circuit
キーワード(5)(和/英) 3次相互変調ひずみ / IMD3
第 1 著者 氏名(和/英) 吉田 慎悟 / Shingo YOSHIDA
第 1 著者 所属(和/英) 電気通信大学
The University of Electro-communications
第 2 著者 氏名(和/英) 石川 亮 / Ryo ISHIKAWA
第 2 著者 所属(和/英) 電気通信大学
The University of Electro-communications
第 3 著者 氏名(和/英) 本城 和彦 / Kazuhiko HONJO
第 3 著者 所属(和/英) 電気通信大学
The University of Electro-communications
発表年月日 2013-12-19
資料番号 MW2013-156
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 365
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日