| 講演名 | 2013-12-12 積層スパッタ堆積による垂直磁気異方性Co/Pt膜の作製(信号処理,一般) 土屋 垂穂, 本多 直樹, |
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| 抄録(和) | 原子層積層コリメータスパッタ堆積により,高磁気異方性Co/Pt積層膜の低温作製を検討した.基板温度が高いほど,また,Arガス圧力が高いほど,X線回折でL1_1規則化に対応する超格子回折線が観察されたが,規則化とは言えないほど微弱であった.しかし,作製膜は1000emu/cm^3ほどの飽和磁化と大きな垂直磁気異方性を示した.低Arガス圧力作製では,基板温度による磁気特性の変化は小さく,粒子間の交換結合が示唆された.一方,高Arガス圧力作製では,室温作製膜は粒子間の交換結合が弱く,抗磁力が5kOeほどの膜が得られたが,200℃作製では粒子間交換結合が強くなり抗磁力は低下した.しかし,異方性磁界は20kOeほどと見積もられ,これより磁気異方性は1×10^7erg/cm^3ほどと見積もられた.大きな垂直磁気異方性の原因はミクロな規則化と示唆される. |
| 抄録(英) | Low temperature preparation of Co/Pt stacked film with high magnetic anisotropy was studied using atomic layer stacking collimated sputter-deposition. Although a trace super lattice line corresponding to the L1_1 ordered phase was observed for films with higher Ar pressure and higher substrate temperature deposition in the X-ray diffraction, L1_1 ordering was not supposed to be obtained. Magnetic properties, however, exhibited a high saturation magnetization of about 1000 emu/cm^3 and a large perpendicular magnetic anisotropy. Low Ar pressure sputtering at 0.8 Pa exhibited little difference in magnetic properties between films deposited at different substrate temperatures. On the contrary, the films deposited at a high Ar pressure of 9.6 Pa exhibited a high coercivity of 5 kOe for RT deposition, but the coercivity decreased and the anisotropy field was increased to be estimated as high as about 20 kOe, which indicated a high perpendicular anisotropy of 1 × 10^7 erg/cm^3. The cause of the anisotropy was suggested to be come from micro ordering. |
| キーワード(和) | 積層スパッタ堆積 / コリメータスパッタリング / 規則化CoPt膜 / 垂直磁気異方性 / 低温堆積 |
| キーワード(英) | stacking sputter-deposition / Collimated sputtering / Ordered CoPt film / Perpendicular magnetic anisotropy / Low temperature deposition |
| 資料番号 | MR2013-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2013/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 積層スパッタ堆積による垂直磁気異方性Co/Pt膜の作製(信号処理,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deposition of Co/Pt Film with Perpendicular Magnetic Anisotropy by Layer Stacking Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 積層スパッタ堆積 / stacking sputter-deposition |
| キーワード(2)（和/英） | コリメータスパッタリング / Collimated sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 規則化CoPt膜 / Ordered CoPt film |
| キーワード(4)（和/英） | 垂直磁気異方性 / Perpendicular magnetic anisotropy |
| キーワード(5)（和/英） | 低温堆積 / Low temperature deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 垂穂 / Taruho TSUCHIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北工業大学大学院工学研究科 Graduate Department of Electronics, Graduate Schools, Tohoku Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本多 直樹 / Naoki HONDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北工業大学大学院工学研究科 Graduate Department of Electronics, Graduate Schools, Tohoku Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013-12-12 |
| 資料番号 | MR2013-30 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 345 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |