講演名 | 2013-12-12 エピタキシャルSmCo_5合金薄膜の作製とCoサイトのNi原子による置換(信号処理,一般) 柳川 貴人, 大竹 充, 山田 真, 堀田 裕介, 鈴木 中, 二本 正昭, 桐野 文良, 稲葉 信幸, |
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抄録(和) | SmCo_<5-1>Ni_x(x=0,1,4,5)合金薄膜を100から500℃の基板温度でbcc-Cr(100)およびfcc-Cu(111)下地層上に形成し,膜成長過程と構造特性を反射高速電子回折およびX線回折により調べた.いずれの下地層上においても,Ni/Co組成および基板温度の増加に伴い,RT_5型規則構造(R:希土類金属,T:遷移金属)を持つエピタキシャル結晶の形成が促進された.Cr下地層上にエピタキシャル成長した膜は,c軸が面内に存在し,それらが互いに直交したRT_5(1120)双結晶から,Cu下地層上に成長した膜は,c軸が面直に向いたRT_5(0001)双結晶から構成された.Ni/Co組成および基板温度の増加に伴い,長距離規則度が増加した.基板温度500℃でCr下地層上に形成したSmCo_5,SmCo_4Ni,SmCoNi_4,SmNi_5膜の規則度は,それぞれ,0.60,0.68,0.83,0.89であり,Cu下地層上では,0.77,0.82,0.89,0.97であった.RT_5型構造のCoサイトをNi原子で置換することにより,規則相形成が促進されることが明らかになった. |
抄録(英) | SmCo_<5-x>Ni_x(x=0, 1, 4, 5) alloy thin films are deposited on bcc-Cr(100) and fcc-Cu(111) underlayers formed on single-crystal substrates by varying the substrate temperature in a range from 100 to 500℃. The film growth behavior and the resulting structure are investigated by in-situ reflection high-energy electron diffraction and X-ray diffraction, respectively. On both kinds of underlayer, formation of epitaxial crystal with RT_5-type ordered structure (R: rare-earth metal, T: transition metal) is promoted with increasing the Ni/Co composition or the substrate temperature. The films epitaxially grown on Cr underlayers consists of two RT_5(1120) crystals whose c-axes are lying in the film plane and rotated around the film normal by 90° each other. The films grown on Cu underlayers are composed of two types of RT_5(0001) crystal with the c-axis perpendicular to the substrate surface. The long-range order degree increases as the Ni content or the substrate temperature increases. The order degrees of SmCo_5, SmCo_4Ni, SmCoNi_4, and SmNi_5 films deposited on Cr underlayers at 500℃ are 0.60, 0.68, 0.83, and 0.89, whereas those deposited on Cu underlayers at 500℃ are 0.77, 0.82, 0.89, and 0.97, respectively. A replacement of Co site in RT_5-type structure with Ni atom is useful for enhancing the RT_5 phase formation. |
キーワード(和) | 磁性合金薄膜 / エピタキシャル成長 / 希土類永久磁石 / SmCo_5 / SmNi_5 / 長距離規則度 |
キーワード(英) | magnetic alloy thin film / epitaxial growth / rare-earth permanent magnet / SmCo_5 / SmNi_5 / long-range order degree |
資料番号 | MR2013-28 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MR |
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開催期間 | 2013/12/5(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | エピタキシャルSmCo_5合金薄膜の作製とCoサイトのNi原子による置換(信号処理,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Preparation of SmCo5 Alloy Epitaxial Thin Films and Replacement of Co Site with Ni Atom |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 磁性合金薄膜 / magnetic alloy thin film |
キーワード(2)(和/英) | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
キーワード(3)(和/英) | 希土類永久磁石 / rare-earth permanent magnet |
キーワード(4)(和/英) | SmCo_5 / SmCo_5 |
キーワード(5)(和/英) | SmNi_5 / SmNi_5 |
キーワード(6)(和/英) | 長距離規則度 / long-range order degree |
第 1 著者 氏名(和/英) | 柳川 貴人 / Takato YANAGAWA |
第 1 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 大竹 充 / Mitsuru OHTAKE |
第 2 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 山田 真 / Makoto YAMADA |
第 3 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 堀田 裕介 / Yusuke HOTTA |
第 4 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 鈴木 中 / Ataru SUZUKI |
第 5 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 二本 正昭 / Masaaki FUTAMOTO |
第 6 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 桐野 文良 / Fumiyoshi KIRINO |
第 7 著者 所属(和/英) | 東京藝術大学大学院美術研究科 Graduate School of Fine Arts, Tokyo University of the Arts |
第 8 著者 氏名(和/英) | 稲葉 信幸 / Nobuyuki INABA |
第 8 著者 所属(和/英) | 山形大学電気電子工学科 Department of Electrical Engineering, Yamagata University |
発表年月日 | 2013-12-12 |
資料番号 | MR2013-28 |
巻番号(vol) | vol.113 |
号番号(no) | 345 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |