| 講演名 | 2014-05-28 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 川上 恭平, 石丸 貴博, 篠原 正俊, 岡田 浩, 古川 雅一, 若原 昭浩, 関口 寛人, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシランを有機金属材料に用いた堆積の条件を検討し,シリコン窒化膜の堆積を確認した。この手法をAlGaN/GaNの高電子移動度トランジスタ構造の表面に適用し、電気的特性の評価から表面パッシベーション効果を確認した. |
| 抄録(英) | New chemical vapor deposition technique using surface-wave plasma is proposed, and silicon nitride film deposition is made. Deposition condition for silicon nitride deposition based-on bis(dimethylamino) dimethylsilane precursor is investigated. The method is applied on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure, and its effectiveness for surface passivation is confirmed by electrical characterization. |
| キーワード(和) | 表面波プラズマ / 化学気相堆積法 / シリコン窒化膜 / AlGaN/GaN / 表面パッシベーション効果 |
| キーワード(英) | surface-wave plasma / chemical vapor deposition / silicon nitride / AlGaN/GaN / surface passivation |
| 資料番号 | ED2014-29,CPM2014-12,SDM2014-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride Films Enhanced by Surface-Wave Plasma and Electron Device Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面波プラズマ / surface-wave plasma |
| キーワード(2)（和/英） | 化学気相堆積法 / chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン窒化膜 / silicon nitride |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(5)（和/英） | 表面パッシベーション効果 / surface passivation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川上 恭平 / Kyohei KAWAKAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石丸 貴博 / Takahiro ISHIMARU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 篠原 正俊 / Masatoshi SHINOHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科:豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology:Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute(EIIRIS), Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古川 雅一 / Masakazu FURUKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | アリエースリサーチ有限会社 Aries Research Group |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学研究科 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2014-05-28 |
| 資料番号 | ED2014-29,CPM2014-12,SDM2014-27 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |