| 講演名 | 2014-05-28 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 洗平 昌晃, 山本 貴博, 白石 賢二, |
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| 抄録(和) | 磁気抵抗メモリは,不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており,次世代のメモリデバイスとして期待されている.中でも電流誘起磁化反転型の磁気抵抗メモリは,そのエネルギー効率の良さから,特に注目を集めている.電流誘起磁化反転に関して様々な理論研究がなされている一方で,原子・電子レベルでの研究はあまりなされておらず,その詳細な解析が求められている.そこで,Fe/MgO/Fe磁気トンネル接合における電流誘起磁化反転に関して,第一原理非平衡電子状態計算を用いて研究を行った.具体的には,トンネル磁気抵抗効果や磁化反転層における磁化の電流密度依存性を調べた.さらに,電流誘起磁化反転における電子散乱過程を詳細に解析することによって,非平衡電子状態の観点からその反転機構を提案した. |
| 抄録(英) | Magnetoresistance memory is expected as emerging memory device due to the desired functions such as non-volatility, fast operation, and high endurance. Especially, magnetoresistance memory with switching mechanism by spin-polarized currents attracts much attention. In this work, we investigated the current-induced magnetization switching in an Fe/MgO(001)/Fe magnetic tunnel junction using non-equilibrium first-principles calculations. We found that the change in the magnetization configuration from antiparallel to parallel can be realized with a lower electrical power than that from parallel to antiparallel. From detailed analyses of the density of states subject to a finite bias voltage, we clarified that the asymmetric behavior originates from the difference in the electron scattering processes between switching directions. |
| キーワード(和) | 磁気抵抗メモリ / 電流誘起磁化反転 / 第一原理計算 |
| キーワード(英) | Magnetoresistance memory / Current-induced magnetization switching / First-principles calculation |
| 資料番号 | ED2014-27,CPM2014-10,SDM2014-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | First-Principles Simulation on Electron Scattering Processes of Magnetoresistance Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 磁気抵抗メモリ / Magnetoresistance memory |
| キーワード(2)（和/英） | 電流誘起磁化反転 / Current-induced magnetization switching |
| キーワード(3)（和/英） | 第一原理計算 / First-principles calculation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 洗平 昌晃 / Masaaki ARAIDAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 Faculty of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 貴博 / Takahiro YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo University of Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白石 賢二 / Kenji SHIRAISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部 Faculty of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2014-05-28 |
| 資料番号 | ED2014-27,CPM2014-10,SDM2014-25 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |