講演名 2014-05-28
パルスレーザー堆積法にてSrTiO_3(100)基板上に作製したBiFe_<1-x>Mn_xO_3薄膜の結晶構造と電気的磁気的特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)
稲葉 隆哲, 岩田 展幸, 渡部 雄太, 大島 佳祐, 高瀬 浩一, 橋本 拓也, 山本 寛,
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抄録(和) SrTiO_3(STO)(100)基板上に成膜したBiFeO_3(BFO)及びBiFe_<1-x>Mn_xO_3(BFMO)薄膜の結晶構造、表面状態とBFMO薄膜の電気的磁気的特性の評価について述べる。成膜にはパルスレーザー堆積(Pulsed Laser Deposition:PLD)法を用いた。BFO薄膜はSTO<110>方向に傾いた単斜晶構造を持つ4つのグレインで構成されていた。これに対し、BFMO薄膜は、基板結晶面から約0.2°傾い格子間隔が異なる斜方晶構造を持つグレインが混在して成長していることがわかった。また、BFO薄膜もBFMO薄膜もプールフレンケル伝導に従うリーク電流特性を示した。BFMO薄膜のM-H曲線から、BFMO薄膜はバルクの飽和磁化の約7倍であった。
抄録(英) BiFeO_3(BFO) and BiFe_<1-x>Mn_xO_3(BFMO) films are deposited by PLD method on SrTiO_3(100) substrate. Monoclinic BFO films grow with the tilt along the <110> direction, including four grains. In the case of BFMO, the film grows with tilt at 0.2 degrees from the substrate surface crystallographic plane. The crystal structure is expected to be orthorombic from the results of reciprocal space mapping. In both cases, leakage current is caused by Poole-Frenkel type conduction. The saturation magnetization of the BFMO film is seven times higher than that of bulk at 300K.
キーワード(和) BiFe_<1-x>Mn_xO_3 / PLD / マルチフェロイック
キーワード(英) BiFe_<1-x>Mn_xO_3 / PLD / Multiferroic
資料番号 ED2014-25,CPM2014-8,SDM2014-23
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2014/5/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) パルスレーザー堆積法にてSrTiO_3(100)基板上に作製したBiFe_<1-x>Mn_xO_3薄膜の結晶構造と電気的磁気的特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Crystal Structure and Electric/Magnetic Properties of BiFe_<1-x>Mn_xO_3 Thin Films Grown on SrTiO_3(100) Substrate Using Pulsed Laser Deposition Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) BiFe_<1-x>Mn_xO_3 / BiFe_<1-x>Mn_xO_3
キーワード(2)(和/英) PLD / PLD
キーワード(3)(和/英) マルチフェロイック / Multiferroic
第 1 著者 氏名(和/英) 稲葉 隆哲 / Takaaki INABA
第 1 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science and Technology, Nihon University
第 2 著者 氏名(和/英) 岩田 展幸 / Nobuyuki IWATA
第 2 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science and Technology, Nihon University
第 3 著者 氏名(和/英) 渡部 雄太 / Yuta WATABE
第 3 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science and Technology, Nihon University
第 4 著者 氏名(和/英) 大島 佳祐 / Keisuke OSHIMA
第 4 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science and Technology, Nihon University
第 5 著者 氏名(和/英) 高瀬 浩一 / Kouichi TAKASE
第 5 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science and Technology, Nihon University
第 6 著者 氏名(和/英) 橋本 拓也 / Takuya HASHIMOTO
第 6 著者 所属(和/英) 日本大学文理学部
College of Humanities and Sciences, Nihon University
第 7 著者 氏名(和/英) 山本 寛 / Hiroshi YAMAMOTO
第 7 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science and Technology, Nihon University
発表年月日 2014-05-28
資料番号 ED2014-25,CPM2014-8,SDM2014-23
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日