| 講演名 | 2014-05-28 GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 小森 大資, 笹島 浩希, 鈴木 智行, 竹内 哲也, 上山 智, 岩谷 素顕, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む窒化物半導体混晶により上記の解決を目指している。しかし、GaNSbの結晶成長に関する報告例は少なく、GaSbモル分率も数%未満であり、成長条件に関する系統的な検討はほとんどされていない。本研究では、GaNSbのGaSbモル分率と表面形態に対する様々な成長条件依存性を検討した。その結果、GaSbモル分率は成長温度とSb/V供給比に、表面形態は成長速度と成長圧力に強く依存することが分かった。また、得られた最大GaSbモル分率は0.4%であった。 |
| 抄録(英) | It is difficult to form high quality nitride-based hetero structures with widely different compositions since large differences exist in growth temperature and lattice constant between them. We have attempted to resolve the above-mentioned issue by fabricating novel nitride-based semiconductors with Sb. At this moment, there are few reports about the epitaxial growth of GaNSb, in which no systematic experiments were carried out and GaSb molar fraction was limited to be less than several percent. In this study we systematically investigated various growth condition dependence on GaSb molar fraction and surface morphology. As a result, we found that the GaSb molar fraction is dependent on growth temperature and Sb/V supply ratio, while the surface morphology is dependent on growth rate and growth pressure. The maximum GaSb molar fraction that we obtained was 0.4%. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / ヘテロ接合 / 格子不整合 / 成長温度 / Sb / GaNSb |
| キーワード(英) | Nitride-based semiconductors / hetero structures / lattice mismatch / growth temperature / Sb / GaNSb |
| 資料番号 | ED2014-19,CPM2014-2,SDM2014-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigations on Sb incoporations and surface morphologies of GaNSb |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride-based semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合 / hetero structures |
| キーワード(3)（和/英） | 格子不整合 / lattice mismatch |
| キーワード(4)（和/英） | 成長温度 / growth temperature |
| キーワード(5)（和/英） | Sb / Sb |
| キーワード(6)（和/英） | GaNSb / GaNSb |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小森 大資 / Daisuke KOMORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 笹島 浩希 / Hiroki SASAJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 智行 / Tomoyuki SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部:名古屋大学赤崎記念研究センター Fac. Sci. & Eng., Meijo University:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2014-05-28 |
| 資料番号 | ED2014-19,CPM2014-2,SDM2014-17 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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