| 講演名 | 2014-05-28 GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 石原 耕史, 近藤 保成, 松原 大幸, 岩谷 素顕, 上山 智, 竹内 哲也, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩和過程は詳しく検討されているが、GaInN中へのミスフィット転位導入の臨界膜厚の貫通転位密度依存性に関しては詳細な報告例がない。本研究では、サファイア基板上に低温バッファ層を介して成長したGaNとGaN基板上にGaInNヘテロ接合を形成し、その緩和過程をその場観察X線法、XRD、CL、走査電子顕微鏡、透過電子顕微鏡、AFM等を駆使して比較検討した。その結果、サファイア基板上のGaInN/GaNと比較して、貫通転位密度が低いGaN基板上GaInN中へのミスフィット転位導入の臨界膜厚の方が小さいことが分かった。 |
| 抄録(英) | In this study, we investigated the critical thickness in GaInN/GaN heterostructure system as function of dislocation density in underlying GaN layer by in situ XRD measurement. As a result, critical thickness of misfit dislocation introducing in GaInN was significant depends on the dislocation density in the GaN underlying layer. |
| キーワード(和) | GaInN/GaN / 貫通転位密度 / 緩和過程 / その場観察X線法 |
| キーワード(英) | GaInN/GaN / dislocation density / strain relaxation / in situ XRD |
| 資料番号 | ED2014-18,CPM2014-1,SDM2014-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dislocation density dependence of strain relaxation in GaInN/GaN heterostructure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN/GaN / GaInN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 貫通転位密度 / dislocation density |
| キーワード(3)（和/英） | 緩和過程 / strain relaxation |
| キーワード(4)（和/英） | その場観察X線法 / in situ XRD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石原 耕史 / Koji ISHIHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 近藤 保成 / Yasunari KONDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松原 大幸 / Hiroyuki MATSUBARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部:名古屋大学赤崎記念研究センター Faculty of Science and Technology, Meijo University:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2014-05-28 |
| 資料番号 | ED2014-18,CPM2014-1,SDM2014-16 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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