| 講演名 | 2014-05-29 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) 山本 雄磨, 村瀬 卓弥, 石黒 真未, 山田 知明, 岩谷 素顕, 上山 智, 竹内 哲也, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 本研究では、ゲートにp型GaNを用いたAlGaN/AlNヘテロ構造電界効果トランジスタ型(HFET型)UV光センサーを作製した。この光センサーは、受光感度が10^4A/W以上かつ暗電流が12pA(駆動電圧4V時)という極めて高い受光感度比であった。最小の光パワーの限界を示す雑音等価パワー(NEP)は5.0×10^<-16>Wと極めて低い値を得ることができた。また、この光センサーは室内光や太陽光の存在する雰囲気で火炎の検知を実現できることが確認できた。 |
| 抄録(英) | In this study, we fabricated high-performance AlGaN/AlN heterostructure-field effect-transistor-type (HFET-type) UV photosensor with a p-type GaN optical gate. As the result, the photosensitivity of this photosensor was over 10^4 A/W. Also, dark current density of the photosensor of approximately 12pA were obtained at operated voltage of 4 V. This photosensor detected the extremely weak flame under sunlight irradiation and room light. |
| キーワード(和) | 紫外受光素子 / 火炎センサー / ソーラーブラインド / HFET / AlGaN |
| キーワード(英) | UV detector / flame sensor / solar blind / HFET / AlGaN |
| 資料番号 | ED2014-34,CPM2014-17,SDM2014-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2014/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application to flame sensor of nitride-based hetero-field-effect-transistor-type ultraviolet photo detectors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 紫外受光素子 / UV detector |
| キーワード(2)（和/英） | 火炎センサー / flame sensor |
| キーワード(3)（和/英） | ソーラーブラインド / solar blind |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 雄磨 / Yuma YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村瀬 卓弥 / Takuya MURASE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石黒 真未 / Mami ISHIGURO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 知明 / Tomoaki YAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部:名古屋大学・赤崎リサーチセンター(ARC) Fac. Sci. & Eng., Meijo University:Grad. Sch. of Eng., Nagoya University |
| 発表年月日 | 2014-05-29 |
| 資料番号 | ED2014-34,CPM2014-17,SDM2014-32 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 57 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |