講演名 2014-05-28
All carbon p-i-n solar cell by microwave surface wave plasma CVD
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抄録(和)
抄録(英) This paper demonstrates the rectifying current voltage characteristics of phosphorous doped non-doped and boron doped carbon (n-C/i-C/p-C) solar cell prepared by microwave surface wave plasma CVD. It was observed that; increase in i-layer thicknesses increases the efficiency of solar cell. Also, increase of sp^2 carbon with increasing graphitic layers when deposition temperature was increased. The preliminary photovoltaic characteristics of the cell reveals a short-circuit current density of 44.8 mA/cm2, open-circuit voltage of 0.23 V, FF=0.39 and photoelectrical conversion efficiency of 3.91%, a reproducible result.
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2014-22,CPM2014-5,SDM2014-20
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2014/5/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) All carbon p-i-n solar cell by microwave surface wave plasma CVD
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) / Dilip C. Ghimire
第 1 著者 所属(和/英)
Department of Electrical and Information Engineering Chubu University
発表年月日 2014-05-28
資料番号 ED2014-22,CPM2014-5,SDM2014-20
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 57
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日