講演名 2013-11-29
高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
豊田 史朗, 平山 秀樹, 鎌田 憲彦,
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抄録(和) AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率(IQE)の向上、ならびに光取出し効率(LEE)の飛躍的向上が期待される。本研究では、通常パターンのサファイア加工基板(PSS;Patterned Sapphire Substrate)のほか、三角格子状のPSSのドットパターンをオリフラに対して30度回転させた「回転パターンPSS」、PSSのドット周期を拡大した「周期パターン拡大PSS」上でAlNピラー構造を制御よく形成することに成功した。さらに、横エンハンス成長モードをコントロールし、AlNピラー構造を埋め込み、結合ピラーAlNバッファーとすることで平坦なAlNテンプレートを作製した。
抄録(英) A connected-pillar AlN buffer structure fabricated on sapphire substrate is considered to be quite effective for increasing efficiency of AlGaN based deep-ultraviolet (DUV) LEDs, because of improving internal quantum efficiency (IQE) due to reduced threading-dislocation density (TDD), and light-extraction efficiency (LEE). In this study, we demonstrated the fabrication of connected-pillar AlN structure buffer on patterned-sapphire substrates (PSS) by using an 'NH_3 pulsed flow multi-layer growth' method and an epitaxial lateral overgrowth (ELO).
キーワード(和) 深紫外LED / MOCVD / AlN / AlGaN / 結合ピラー
キーワード(英) DUV-LED / MOCVD / AlN / AlGaN / Connected pillar
資料番号 ED2013-85,CPM2013-144,LQE2013-120
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2013/11/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of Connected Pillar AlN Buffer for AlGaN deep-UV LEDs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 深紫外LED / DUV-LED
キーワード(2)(和/英) MOCVD / MOCVD
キーワード(3)(和/英) AlN / AlN
キーワード(4)(和/英) AlGaN / AlGaN
キーワード(5)(和/英) 結合ピラー / Connected pillar
第 1 著者 氏名(和/英) 豊田 史朗 / Shiro TOYODA
第 1 著者 所属(和/英) 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学工学部理工学研究科
RIKEN:Saitama University
第 2 著者 氏名(和/英) 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA
第 2 著者 所属(和/英) 独立行政法人理化学研究所
RIKEN
第 3 著者 氏名(和/英) 鎌田 憲彦 / Norihiko KAMATA
第 3 著者 所属(和/英) 埼玉大学工学部理工学研究科
Saitama University
発表年月日 2013-11-29
資料番号 ED2013-85,CPM2013-144,LQE2013-120
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 331
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日