講演名 | 2013-11-29 高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 豊田 史朗, 平山 秀樹, 鎌田 憲彦, |
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抄録(和) | AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率(IQE)の向上、ならびに光取出し効率(LEE)の飛躍的向上が期待される。本研究では、通常パターンのサファイア加工基板(PSS;Patterned Sapphire Substrate)のほか、三角格子状のPSSのドットパターンをオリフラに対して30度回転させた「回転パターンPSS」、PSSのドット周期を拡大した「周期パターン拡大PSS」上でAlNピラー構造を制御よく形成することに成功した。さらに、横エンハンス成長モードをコントロールし、AlNピラー構造を埋め込み、結合ピラーAlNバッファーとすることで平坦なAlNテンプレートを作製した。 |
抄録(英) | A connected-pillar AlN buffer structure fabricated on sapphire substrate is considered to be quite effective for increasing efficiency of AlGaN based deep-ultraviolet (DUV) LEDs, because of improving internal quantum efficiency (IQE) due to reduced threading-dislocation density (TDD), and light-extraction efficiency (LEE). In this study, we demonstrated the fabrication of connected-pillar AlN structure buffer on patterned-sapphire substrates (PSS) by using an 'NH_3 pulsed flow multi-layer growth' method and an epitaxial lateral overgrowth (ELO). |
キーワード(和) | 深紫外LED / MOCVD / AlN / AlGaN / 結合ピラー |
キーワード(英) | DUV-LED / MOCVD / AlN / AlGaN / Connected pillar |
資料番号 | ED2013-85,CPM2013-144,LQE2013-120 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Development of Connected Pillar AlN Buffer for AlGaN deep-UV LEDs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 深紫外LED / DUV-LED |
キーワード(2)(和/英) | MOCVD / MOCVD |
キーワード(3)(和/英) | AlN / AlN |
キーワード(4)(和/英) | AlGaN / AlGaN |
キーワード(5)(和/英) | 結合ピラー / Connected pillar |
第 1 著者 氏名(和/英) | 豊田 史朗 / Shiro TOYODA |
第 1 著者 所属(和/英) | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学工学部理工学研究科 RIKEN:Saitama University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 独立行政法人理化学研究所 RIKEN |
第 3 著者 氏名(和/英) | 鎌田 憲彦 / Norihiko KAMATA |
第 3 著者 所属(和/英) | 埼玉大学工学部理工学研究科 Saitama University |
発表年月日 | 2013-11-29 |
資料番号 | ED2013-85,CPM2013-144,LQE2013-120 |
巻番号(vol) | vol.113 |
号番号(no) | 331 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |