| 講演名 | 2013/11/13 オンチップアンテナのイオン照射を想定した基板の高抵抗化よる放射効率改善の電磁界シミュレーション(一般,アダプティブアンテナ,等化,干渉キャンセラ,MIMO,無線通信,一般) 矢尾 裕樹, 平野 拓一, 岡田 健一, 広川 二郎, 安藤 真, |
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| 抄録(和) | CMOSオンチップアンテナの放射効率改善のために,チップの一部にイオン照射を想定した低損失シリコン(Si)基板を用いた場合の放射特性の電磁界シミュレーションを行った.60GHzにおいてオンチップダイポールアンテナの直下の1200μm×600μmのSi基板の領域を低導電率化(高抵抗化)することで,放射効率を2.23%から62.2%まで改善可能であることをシミュレーションで確認した.また,2つのオンチップダイポールアンテナによる伝送評価モデルのシミュレーションを行った.プローブステーションの金属台上でも,ガラス基板を厚くし,アンテナを金属面から遠ざけることで受信電力が大きくなり,伝送特性の測定が可能であることが確認できた. |
| 抄録(英) | We have analyzed on-chip antennas integrated in CMOS using a partially low loss Si substrate by the electromagnetic field simulator. A partially high impedance Si substrate is achieved for radiation efficiency improvement by ion irradiation. Radiation efficiency of the on-chip dipole antenna without the partially ion-irradiation area is as low as 2.24%, and the radiation efficiency is improved to 62.2% with ion irradiation with the area of 1200 μm × 600 μm size under the dipole antenna. We have also evaluated model of the transmission by the two on-chip dipole antennas. |
| キーワード(和) | オンチップアンテナ / CMOS / イオン照射 / 高抵抗化Si基板 |
| キーワード(英) | On-chip antenna / CMOS / Ion irradiation / High impedance Si substrate |
| 資料番号 | A・P2013-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | AP |
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| 開催期間 | 2013/11/13(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Antennas and Propagation (A・P) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | オンチップアンテナのイオン照射を想定した基板の高抵抗化よる放射効率改善の電磁界シミュレーション(一般,アダプティブアンテナ,等化,干渉キャンセラ,MIMO,無線通信,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electromagnetic Simulation of Radiation Efficiency Improvement for an On-chip Antenna by a High Resistivity Substrate Supposing Ion Irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | オンチップアンテナ / On-chip antenna |
| キーワード(2)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | イオン照射 / Ion irradiation |
| キーワード(4)（和/英） | 高抵抗化Si基板 / High impedance Si substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 矢尾 裕樹 / Yuki YAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平野 拓一 / Takuichi HIRANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 健一 / Kenichi OKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 広川 二郎 / Jiro HIROKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 安藤 真 / Makoto ANDO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013/11/13 |
| 資料番号 | A・P2013-104 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 300 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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