| 講演名 | 2013-11-15 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般) 大森 正規, 木場 隼介, 前川 容佑, 土屋 英昭, 鎌倉 良成, 森 伸也, 小川 真人, |
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| 抄録(和) | 本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接トンネリングの影響について検討を行った。その結果、III-V MOSFETは電子の有効質量が軽いために、約20nm以下の比較的長いチャネル長でもSD直接トンネリングによるサブスレッショルドリーク電流の急激な増大が発生することが分かった。これはSi MOSFETよりも約3倍長いチャネル長でSD直接トンネリングが顕在化することを意味しており、III-V MOSFETの微細化を推し進める上で大きな障害となり得る。従って、ロードマップ終了後を睨んだ場合、SD直接トンネリングを抑制し、かつ高い電流駆動力を有する材料の開発が求められてくる。 |
| 抄録(英) | In this study, the impact of source-drain (SD) direct tunneling in III-V metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) was investigated using a quantum Wigner Monte Carlo simulation. It was found that the critical channel length for which a drastic increase in subthreshold current occurs due to SD direct tunneling is about 20 nm for both In_<0.53>Ga_<0.47>As and InP MOSFETs. Since this value is significantly larger than that for Si MOSFET, SD direct tunneling can be a major obstacle to downscale III-V MOSFETs into L_ |
| キーワード(和) | III-V MOSFET / 量子輸送効果 / ウィグナーモンテカルロ法 / ソース・ドレイン直接トンネリング |
| キーワード(英) | III-V MOSFET / Quantum Transport Effects / Wigner Monte Carlo Method / Source-Drain Direct Tunneling |
| 資料番号 | SDM2013-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/11/7(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum transport simulation of ultrasmall III-V MOSFETs using Wigner Monte Carlo approach |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V MOSFET / III-V MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 量子輸送効果 / Quantum Transport Effects |
| キーワード(3)（和/英） | ウィグナーモンテカルロ法 / Wigner Monte Carlo Method |
| キーワード(4)（和/英） | ソース・ドレイン直接トンネリング / Source-Drain Direct Tunneling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大森 正規 / Masaki Ohmori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木場 隼介 / Shunsuke Koba |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前川 容佑 / Yosuke Maegawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kobe University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 土屋 英昭 / Hideaki Tsuchiya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院工学研究科:JST-CREST Graduate School of Engineering, Kobe University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科:JST-CREST Graduate School of Engineering, Osaka University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森 伸也 / Nobuya Mori |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科:JST-CREST Graduate School of Engineering, Osaka University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小川 真人 / Matsuto Ogawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 2013-11-15 |
| 資料番号 | SDM2013-111 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 296 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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