| 講演名 | 2013-11-29 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 片桐 正義, 泉 健太, 三宅 秀人, 平松 和政, 奥 秀彦, 浅村 英俊, 川村 啓介, |
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| 抄録(和) | Si基板上のGaN成長においては,熱膨張係数差に起因する基板の反りやクラックの発生,SiとGaとの反応によるメルトバックエッチングなどの問題が今なお課題として残り,その根本的な解決が強く求められている.それらを解決する有効な方法の一つが3C-SiC緩衝層を使用したSi基板上GaN成長であり,我々はその有用性を示した.本研究では,Si基板上のGaN成長に最適な3C-SiC膜厚を明らかにするために,3C-SiC膜厚毎の表面状態と結晶性,GaN成長への影響について調べた. |
| 抄録(英) | Since GaN is desired for optical and electronic devices, therefore reduction of substrate cost is very important topic. As it is well known, GaN is difficult to be grown on Si because of large lattice mismatch (17%), difference of thermal expansion (33%) and melt-back reaction between Ga and Si. To overcome these problems, we have studied on epitaxy of high-quality GaN on Si with a 3C-SiC intermediate layer. In this study, we investigated effects of 3C-SiC intermediate layer thickness on surface morphology, crystalline quality and curvature of sample. |
| キーワード(和) | Si(111) / 3C-SiC / GaN / MOVPE |
| キーワード(英) | Si(111) / 3C-SiC / GaN / MOVPE |
| 資料番号 | ED2013-79,CPM2013-138,LQE2013-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN with thin 3C-SiC buffer layer on Si(111) substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si(111) / Si(111) |
| キーワード(2)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 片桐 正義 / Masayoshi KATAGIRI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 泉 健太 / Kenta IZUMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 奥 秀彦 / Hidehiko OKU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | エア・ウォーター総合開発研究所 Air Water R&D Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浅村 英俊 / Hidetoshi ASAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | エア・ウォーター総合開発研究所 Air Water R&D Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 川村 啓介 / Keisuke KAWAMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | エア・ウォーター総合開発研究所 Air Water R&D Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2013-11-29 |
| 資料番号 | ED2013-79,CPM2013-138,LQE2013-114 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 329 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |