講演名 | 2013-11-29 赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 荒居 孝紀, 若松 龍太, 李 東建, 小泉 淳, 藤原 康文, |
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抄録(和) | Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸(MQW:Eu)構造を有機金属気相エピタキシャル法により作製し、その発光特性を調べた。X線回折測定からEuを添加しても、多重量子井戸構造を示すサテライトピークが観測された。MQW:Euのフォトルミネッセンス(PL)測定から、同様な条件で成長したEu添加GaN(GaN:Eu)バルクと比較してEu発光ピーク強度の増大が観測され、ピーク幅はブロードになった。MQW:Euの積分PL強度はGaN:Euと比較して約4倍に増大した。MQW:EuのPL励起スペクトルから、Eu発光強度の増大は、Eu^<3+>が量子井戸に添加されたことに由来するものであることが分かった。 |
抄録(英) | We have grown Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW:Eu) structures by organometallic vapor-phase epitaxy, and investigated their luminescence properties. The satellite peaks owing to GaN/AlGaN multiple quantum well structures were observed in X-ray diffraction patterns for the MQW:Eu samples. The photoluminescence (PL) spectra of the MQW:Eu samples exhibited enhancement of Eu luminescence peak intensity and broadening of the peak width compared with Eu-doped GaN (GaN:Eu) grown using the same condition. The integrated PL intensity in MQW:Eu was four times higher than that in GaN:Eu. Photoluminescence excitation (PLE) spectra of MQW:Eu indicated that the enhanced Eu luminescence originated from Eu^<3+> ions in the GaN well layers. |
キーワード(和) | Eu添加GaN / 量子井戸 / OMVPE / PL |
キーワード(英) | Eu-doped GaN / Quantum well / OMVPE / PL |
資料番号 | ED2013-77,CPM2013-136,LQE2013-112 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | OMVPE growth and red luminescence properties of Eu doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Eu添加GaN / Eu-doped GaN |
キーワード(2)(和/英) | 量子井戸 / Quantum well |
キーワード(3)(和/英) | OMVPE / OMVPE |
キーワード(4)(和/英) | PL / PL |
第 1 著者 氏名(和/英) | 荒居 孝紀 / Takanori ARAI |
第 1 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 若松 龍太 / Ryuta WAKAMATSU |
第 2 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 李 東建 / Dong-gun LEE |
第 3 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 小泉 淳 / Atsushi KOIZUMI |
第 4 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 藤原 康文 / Yasufumi FUJIWARA |
第 5 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University |
発表年月日 | 2013-11-29 |
資料番号 | ED2013-77,CPM2013-136,LQE2013-112 |
巻番号(vol) | vol.113 |
号番号(no) | 329 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |