| 講演名 | 2013-11-29 サファイア上AlN緩衝層のN_2-COアニールとMOVPE法による高温成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 西尾 剛, 鈴木 周平, 三宅 秀人, 平松 和政, 福山 博之, |
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| 抄録(和) | AlNはワイドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.本研究では,MOVPE法によってサファイア上に成長させたAlN緩衝層をアニールすることによる核形成層の制御に着目した.N_2-CO雰囲気でのアニールによって,AlN緩衝層の表面モフォロジーは著しく変化し,RMS値が改善していた.これは,アニールによって原子のマイグレーションが促進されたことによると考えられる.また,アニール前後でAlN緩衝層のXRC半値幅が大幅に減少しており,アニール温度1700℃で転位密度は1.3×10^9cm^<-2>であった.これらの結果から,AlN緩衝層のN_2-CO雰囲気での高温アニールは,サファイア上のAlN成長における貫通転位の低減に有効であることが示された. |
| 抄録(英) | AlN has attracted attention for applications in the deep ultraviolet region, because of its wide direct band-gap and excellent thermal and chemical stabilities. High-quality AlN layers were grown on thermally-annealed AlN buffer layer on sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). By annealing in a carbon-saturated N_2-CO gas mixture, the surface morphologies of AlN buffer layers were dramatically changed and the RMS values were improved. Additionally, the FWHM values of XRCs of the AlN buffer layers significantly decreased by annealing and the threading dislocation density of AlN grown on thermally-annealed AlN buffer layer at 1700℃ was less than 1.3×10^9cm^<-2>. These results indicate that the high-temperature annealing of AlN buffer layer is useful technique for reduction of dislocations in AlN grown on sapphire. |
| キーワード(和) | アニール / N_2-CO / AlN / MOVPE / sapphire / 緩衝層 |
| キーワード(英) | annealing / N_2-CO / AlN / MOVPE / sapphire / buffer layer |
| 資料番号 | ED2013-80,CPM2013-139,LQE2013-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サファイア上AlN緩衝層のN_2-COアニールとMOVPE法による高温成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Annealing in N_2-CO of AlN buffer layers on sapphire and high temperature growth of AlN layers by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アニール / annealing |
| キーワード(2)（和/英） | N_2-CO / N_2-CO |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | sapphire / sapphire |
| キーワード(6)（和/英） | 緩衝層 / buffer layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西尾 剛 / Gou NISHIO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 周平 / Shuhei SUZUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福山 博之 / Hiroyuki FUKUYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所 Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University |
| 発表年月日 | 2013-11-29 |
| 資料番号 | ED2013-80,CPM2013-139,LQE2013-115 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 330 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |