| 講演名 | 2013-11-28 GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 塩島 謙次, 木原 雄平, 青木 俊周, 金田 直樹, 三島 友義, |
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| 抄録(和) | GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Siドープn-GaN層をMOCVD法で成長し、Ni/Auショットキー電極を形成した。n-GaN中のSi、およびC濃度が1-9x10^<16>cm^<-3>範囲内で異なる試料を用意した。SiとC濃度がほぼ等しい試料ではC-V特性から求めたキャリア濃度は0.7～2x10^<16>cm^<-3>の範囲内に制御されていた。これらの試料は良好なI-V順方向特性を示し、障壁高さ:1.04-1.10eV、n値:1.01-1.03の値を得た。 |
| 抄録(英) | We fabricated and characterized low-Si-doped thick GaN Schottky diodes on GaN substrates with varied C-doping concentrations. Low-Si-doped-GaN films (12μm-thick) were grown on GaN substrates using MOCVD. Si and C concentrations were varied in the range of 1-9x10^<16>cm^<-3>. From the C-V carrier profiles, the net carrier concentration were well-controlled in the range between 0.7 and 2x10^<16>cm^<-3> for the samples with Si ≈ C. In the I-V characteristics, they showed good linearity in the forward current, and Schottky barrier height and n-value were obtained to be 1.04-1.10 eV, and 1.01-1.03, respectively. The reverse currents were as low as 10 pA at -200 V. |
| キーワード(和) | GaN自立基板 / ショットキーダイオード / 低キャリア濃度 / Cドーピング |
| キーワード(英) | GaN free-standing substrate / Schottky diode / Low carrier concentration / C doping |
| 資料番号 | ED2013-71,CPM2013-130,LQE2013-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN自立基板 / GaN free-standing substrate |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(3)（和/英） | 低キャリア濃度 / Low carrier concentration |
| キーワード(4)（和/英） | Cドーピング / C doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木原 雄平 / Yuhei KIHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 俊周 / Toshichika AOKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 金田 直樹 / Naoki KANEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立金属(株)電線材料カンパニー電線材料研究所 Cable Materials Research Lab., Hitachi Metals Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi MISHIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立金属(株)電線材料カンパニー電線材料研究所 Cable Materials Research Lab., Hitachi Metals Ltd. |
| 発表年月日 | 2013-11-28 |
| 資料番号 | ED2013-71,CPM2013-130,LQE2013-106 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 330 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |