| 講演名 | 2013-11-28 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | 表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて異なるドーピング濃度を有する種々の半導体材料のpn接合、n-on-p InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(111)Si 2接合太陽電池の作製及び電気特性の評価を行った。高不純物濃度の半導体接合層からなるpn接合の電流電圧特性はオーミック性を示した。界面抵抗値は不純物濃度の増加とともに減少しp^+-GaAs/n^<++>-Si接合において最も低い界面抵抗値0.13Ω・cm^2を得た。その値は太陽電池応用上十分低いと考えられる。2接合太陽電池においては、その開放電圧(V_ |
| 抄録(英) | The electrical properties of pn junctions with various semiconductor materials with different doping concentrations, InGaP/(100)Si n-on-p,InGaP/(100)Si p-on-n and InGaP/(111)Si p-on-n double junction cells fabricated by using surface activated bonding (SAB) were investigated. The I-V characteristics of pn junctions composed of semiconductor junction layers of high impurity concentration showed ohmic-like properties. We obtained the lowest interfacial resistance (0.13Ω・cm^2) in the p^+-GaAs/n^<++>-Si junction, the interface resistance decrease with increasing impurity concentration. Its value was considered to be sufficiently low on the solar cell application. The open circuit voltage (V_ |
| キーワード(和) | 表面活性化ボンディング(SAB) / 接合面抵抗 / 電力損失 / InGaP/Siタンデム太陽電池 / 変換効率 / 開放電圧 / 直列抵抗 |
| キーワード(英) | surface activated bonding / interface resistance / power loss / InGaP/Si tandem solar cells / conversion efficiency / open voltage / series resistance |
| 資料番号 | ED2013-69,CPM2013-128,LQE2013-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面活性化ボンディング(SAB) / surface activated bonding |
| キーワード(2)（和/英） | 接合面抵抗 / interface resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 電力損失 / power loss |
| キーワード(4)（和/英） | InGaP/Siタンデム太陽電池 / InGaP/Si tandem solar cells |
| キーワード(5)（和/英） | 変換効率 / conversion efficiency |
| キーワード(6)（和/英） | 開放電圧 / open voltage |
| キーワード(7)（和/英） | 直列抵抗 / series resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梁 剣波 / Jianbo LIANG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西田 将太 / Shota NiSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森本 雅史 / Masashi MORIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 発表年月日 | 2013-11-28 |
| 資料番号 | ED2013-69,CPM2013-128,LQE2013-104 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 330 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |